1200系列八溫區真空管式爐LFT1200C2400D200VIII設備主要適用于中小批量材料在高溫條件下熱處理,集控制系統與爐膛為一體,保溫材料使用高純氧化鋁纖維材料,內嵌式加熱式與保溫材料一體成型。爐管采用高純石英管,石英管和金屬法蘭之前采用橡膠擠壓密封,加熱絲均勻分布于爐管四周,確保良好的溫場均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命(適于中高溫檢測)的“K"型熱電偶,以提高控溫的精確性。
立式淬火爐 LFT1500C 50D30 OP,爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用硅碳棒為加熱元件。該設備設計為立式結構,樣品由吊絲固定,真空腔室上端配有電磁鐵固定吊絲,可在真空條件下完成淬火工作。其爐管為外徑Ф30mm的剛玉管,采用法蘭來密封。此設備設計是用于樣品高溫淬火。樣品高溫處理后,迅速墜落到冰水中或油中,來研究樣品在高溫狀態下的相變和結構。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀,控制電源開關、電磁鐵旋鈕開關、主加熱工作/停止按鈕,工作狀態指示燈,以便隨時觀察本系統的工作狀態。
煅燒爐,集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,加熱元件為優質硅碳棒。石英腔體橫穿于爐體中間作為爐管,爐管兩端用不銹鋼法蘭密封,工件式樣在腔體內加熱,加熱元件均勻分布于腔體下側,有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用適用于高溫環境的“S"型熱電偶。煅燒爐能夠快速開啟,快速升降溫,方便客戶對特殊材料的裝載,燒制和觀察。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀,控制電源開關、主加熱工作/停止按鈕,工作狀態指示燈,以便隨時觀察本系統的工作狀態。
真空氣氛箱式爐 LFM1200C 64VC用于在1100℃下半導體器件、金屬材料的熱處理和還原性燒結等工藝,也可用于產品的炭化試驗。該爐采用電阻絲加熱,PID程序控溫儀控制,溫控儀可設定30 段升溫曲線、PID控制參數自整定、并具有斷偶、超溫報警保護等功能。爐體采超輕質高鋁纖維材料,具有熱容小、溫度升降控制靈活、節能等特點,設備可根據真空度的需要分別選用機械泵或其他真空機組,非常適合于試驗和小批量生產之用。
多溫區管式高溫高壓爐集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用硅碳棒為加熱元件,均勻分布于爐管兩側,溫場均勻可靠。鎳基合金材料制成的金屬爐管配備CF法蘭密封形式及金屬紫銅密封圈,提高設備的使用溫度,同時能實現在一定的高壓條件下實驗。工件式樣在管中加熱,加熱元件與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場的均勻性。
立式高溫淬火爐如圖所示,集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用電阻絲為加熱元件,用于催化劑焙燒,方便催化劑裝填和轉移。石英玻璃管橫穿于爐體中間作為爐膛,爐管上端用選用不銹鋼法蘭密封,下端可用根據用戶要求使用橡膠塞隔熱,配有不銹鋼雙層托架,可放置樣品。工件式樣在管中加熱,加熱元件與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命的“K”型熱電偶,直接和式樣接觸,以提高控溫的精確性。
新能源材料設備是由開啟式真空管式爐根據特殊工藝要求而設計的,其滑軌式結構設計在實驗過程中可滿足多種工藝要求,可將樣品直接推至實驗所需設定高溫區,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率,滿足工藝要求對升降溫要求較高的實驗,是一款性價比很高的產品,同時具有一定的可擴展性,比較適用于二維材料,碳材料的實驗要求。
該石墨烯制備設備雙溫區滑軌式CVD系統系統由預熱爐、雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。CVD(化學氣象沉積系統)常用于表面材料生長、沉積,是一款實驗室常用設備。
碳納米膜制備設備,由氣體質量流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長系統、水冷卻系統、碳納米線或膜收集系統,紅外烘干系統等組成。生長爐的最高溫度1400℃,并可在0-1400℃之間連續可調,垂直式分布熱場,三點控溫(三段長度平均分配),設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統,保溫材料為加厚型,殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料,加熱元件為優質硅碳棒。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現連續生長不間斷的特點。
產品介紹中鋼天源自主設計研發的TM系列金屬礦用塔磨機可廣泛應用于包括金礦、銀礦、銅礦、鎳礦、錳礦、鐵礦、鋅鉛礦等多種礦石及固體顆粒的超細磨,該設備整機及各零部件結構合理,占地面積少,運轉平穩,噪音小,
適用范圍:本產品是根據用戶所提要求設計,并參照JB/T5520-91干燥箱技術條件制造,主要為航空、航天、汽車、**、石油、化工、船舶、電子、半導體通信等科研及生產單位提供恒定或可變化溫度氣候環境,供
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