特點
· 用于中試和量產
· 多個濺射源
· 可濺射金屬、半導體、介質材料及磁性材料
· 可濺射單層膜、多層膜或共濺合金薄膜或反應濺射
· PID下游或上游壓力控制
· 可選離子源輔助沉積
· 可選RF等離子體或離子源基片清洗
· 可選基片氧化
· 整套系統通過工控機和PLC實現全自動控制
主要配置
濺射腔體:不銹鋼腔體
真空閥:高真空插板閥
真空測量:寬量程真空計
濺射源:多個磁控濺射陰極,可配DC、Pulse DC、RF、HIPIMS電源
基片臺:基片可旋轉,可選加熱或冷卻
壓力控制:多路氣體配流量計和壓力計,PID濺射壓力控制
可選薄膜監控:晶振膜厚/速率監控
可選預真空室:基片自動傳遞
鍍膜室主要技術指標
極限真空壓力:<9E-8Torr
基片尺寸:可選:3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
可選基片加熱至:600℃
片內膜厚均勻性:≤+/-3%
片間膜厚重復性:≤+/-2%
裝片能力