設備介紹
該產品是由射頻電源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成,適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
產品優勢
更好的沉積效率
PECVD比普通CVD具有更高的化學氣相沉積速率、更好的均勻性、一致性和穩定性
所需溫度更低
PECVD對于化學氣相沉積需要比普通CVD更低的溫度
成品質量好
具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點
技術參數
產品名稱 PECVD系統
產品型號 KJ-T1200-PE
外殼 不銹鋼
加熱元件 電阻絲
最高溫度 1200°C
工作溫度 ≤1100 °C
溫度均勻 ±1°C
升溫速率 ≤10 °C/min
爐管尺寸 Φ200×1400mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
管材 優質石英管
加熱區長度 300mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
密封 法蘭
溫度控制 30 個可編程段,用于準確控制加熱速率、冷卻速率和停留時間。
內置 PID 自動調諧功能,具有過熱和熱電偶斷路保護。
過溫保護和警報允許在沒有服務人員的情況下進行操作。
+/- 1 oC 溫度精度。
準確 ±1°C