設備介紹
PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。該PECVD管式爐溫度范圍寬;濺射區域長;整管可調;精致小巧,性價比高,可實現快速升降溫,是實驗室生長薄膜
石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等的理想選擇,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
產品優勢
更好的沉積效率
PECVD比普通CVD具有更高的化學氣相沉積速率、更好的均勻性、一致性和穩定性
所需溫度更低
PECVD對于化學氣相沉積需要比普通CVD更低的溫度
成品質量好
具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點
技術參數
產品名稱 1200℃PECVD系統
產品型號 KJ-PECVD-1200-50*300-F3
加熱系統
顯示 LED
最高溫度 1200℃
長期工作溫度 ≤1100℃
升溫速率 0~10℃/min
溫區長度 300mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
加熱元件 硅鉬棒
熱電偶 N型
溫度均勻性 ±1℃
爐管尺寸 直徑60 x 長度1200mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
溫度控制 通過可控硅功率控制進行PID自動控制
加熱過程 30步可編程
最大工作壓力 0.02MPa
真空系統
旋片泵 冷態極限真空10Pa
真空計 數顯真空計
真空法蘭 帶閥門和針頭的不銹鋼真空法蘭
質量流量計
流量范圍 CO2(流量范圍:0-200 sccm
CH4(流量范圍:0-200 sccm)
N2 流量范圍(流量范圍:0-200 sccm)
等離子射頻發生器
輸出功率:0 -300W可調,±1%穩定性
射頻頻率:13.56 MHz ±0.005% 穩定性