金屬材料的頂鍛試驗方法是金屬材料在室溫或熱狀態下沿試樣軸線方向施加壓力，將試樣壓縮，檢驗金屬在規定的鍛壓比下承受頂鍛塑性變形的能力并顯示金屬表面缺陷。主要用來研究金屬材料在大量生產模壓件時的質量狀況，以便針對缺陷情況而作相應改進。YQA-Z系列PLC控制全自動快速頂鍛試驗機，是在原有老耕田號試驗機上更新設計的新型頂鍛試機，采自動控制試樣壓扁高度的原理替代原來用標典強假墊塊做試驗的方式(延用原微機控制電子萬試驗機的工作原理及技術)。

青島迪凱以技術創新驅動行業升級，新研發的UHPC行星式攪拌機在攪拌過程中采用行星攪拌模式，UHPC超高性能混凝土物料在攪拌筒內被強制進行多形式攪拌運動，在保證物料的原始組分不變的情況下，實現物料更加均勻的攪拌混合，大大保障了UHPC超高性能混凝土攪拌物料的勻質性。

等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應生成含有氣態物質的薄膜的薄膜生長技術。該系統由高功率射頻電源、真空系統、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設備是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性

適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用。

PECVD等離子氣相沉積設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統主要用于金屬粉末鍍膜。

該pecvd設備是由管式爐真空泵和六通道質量流量計氣體流動系統組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴散。

整套體系可在真空/氣氛保護環境下工作。 收放卷機構轉速從1~400mm/min可調,機構采用反饋調節，可自動糾正轉速偏差，保證樣品的速度穩定不走樣。

適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

該PECVD管式爐度范圍寬；濺射區域長；整管可調；精致小巧，性價比高，可實現快速升降溫，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

滑道式PECVD系統由PT-1200T管式爐加熱系統、真空系統、質量流量計供氣系統、等離子射頻電源系統組成。廣泛應用于沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等。

廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。