設備介紹
PECVD系統由管式爐,真空系統、供氣系統、射頻電源系統等組成。PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD增加功能容易,可擴展等離子清洗刻蝕等功能,PECVD系統薄膜沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高等優點。 等離子增強化學沉積系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、
石墨烯材料等。
產品優勢
成品質量好
PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點
沉積效果好
等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜
薄膜應力大小可調
可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小
技術參數
產品名稱 高真空PECVD設備(CE認證)
滑軌管式爐部分
產品型號 KJ-T1200-S5030-H
爐管尺寸 Φ50mmX1600mm (其他尺寸可根據客戶需求定制)
爐管材質 石英管
加熱區 300mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
工作溫度 ≤1100℃
最高溫度 1200℃
溫控方式 N型熱電偶
控制方式 觸屏控制,帶獨立搖臂,可以根據實際使用需求,調節溫控屏的角度,使用更方便
控溫精度 ±1℃
溫控保護 具有超溫和斷偶保護功能
升溫速率 建議≤10oC/min
加熱元件 含鉬電阻絲
爐體結構 爐體帶滑軌,可實現快速升溫和降溫
法蘭接頭 標配配有兩個不銹鋼真空法蘭,已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥
密封系統 該爐爐管與法蘭之間采用硅膠O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸,氣密性好。
殼體 不銹鋼殼體
選配 輔助降溫風扇
真空系統部分
名稱 真空系統
主要參數
1.采用進口安捷倫高真空分子泵組,極限真空度可達10-3pa
2.KF25快接,不銹鋼波紋管,手動擋板閥與法蘭,
真空泵相連;
3.數字式真空顯示,測量精度高
氣路系統部分
名稱 四路質量流量計
主要參數
四通道精密質量流量計:觸屏控制,數字顯示,自動控制。
4個不銹鋼針閥安裝在供氣系統的左側,可手動控制4種氣體;
進出氣口:3進1出
流量控制:手動旋轉式調節
等離子電源部分
名稱 500W等離子電源
售后服務 質保一年,終身保修(耗材類:高溫密封圈、爐管、加熱元件等不屬于質保范圍)