本發明公開了一種片狀硅粒子整流二極管的生產方法,包括下述步驟:步驟一:選取N-型111面芯片進行擴散工序制得PN結芯片;步驟二:把所述PN結芯片制作成為片狀GPP芯片;步驟三:把所述片狀GPP芯片封裝制造成片狀硅粒子整流二極管。本發明所述片狀硅粒子整流二極管的生產方法不會產生尖端電場區域,從而不會產生尖峰電場使得芯片被擊穿,從而對芯片起到了一定的保護作用,并提高了芯片的有效載流面積和耐受電流強度。
本發明涉及真空熱處理設備領域。真空脫脂燒結爐,包括爐座及固定在其上的燒結爐,還包括與燒結爐相連的充氣裝置、水冷裝置、抽真空裝置和脫脂裝置。該真空脫脂燒結爐的優點是結構新穎,保溫性能好,一次脫脂率高。
中冶有色為您提供最新的四川廣安有色金屬真空冶金技術理論與應用信息,涵蓋發明專利、權利要求、說明書、技術領域、背景技術、實用新型內容及具體實施方式等有色技術內容。打造最具專業性的有色金屬技術理論與應用平臺!