本發明涉及一種提高計算機系統穩定性的方法及計算機系統,提高計算機系統穩定性的方法包括:計算機系統在啟動或運行時,收集所述計算機系統的設備產生的錯誤數據;將所述錯誤數據存儲到非易失性存儲器中;所述計算機系統重啟時,根據所述錯誤數據對產生所述錯誤數據的設備進行狀態恢復處理。通過在計算機系統運行中將錯誤數據記錄到非易失性存儲器中,并在重新啟動過程中讀取非易失性存儲器中的錯誤數據對計算機系統中對應的設備進行狀態恢復處理,解決了計算機系統在重啟后設備狀態初始化導致的計算機系統之前對一些異?;蝾A測會損壞的設備的禁用、隔離等處理失效,直接導致系統穩定性的降低的問題,提高了計算機系統的穩定性。
本實用新型公開了一種低能耗的光伏風電箱變,包括地面,所述地面的上端設置有接地裝置,所述地面的上端固定連接有箱體,所述箱體內固定連接有夾線裝置,所述箱體內固定連接有通風裝置,所述接地裝置包括滑軌、滑塊、滑槽、滑移架、滑桿、第一彈簧、限位環、套筒和接地桿,所述滑軌與箱體固定連接,所述滑軌內滑動連接有滑塊,所述滑塊設置有滑槽,所述滑槽內滑動連接有滑移架,所述滑移架內滑動套接有滑桿,所述滑桿的外側套接有第一彈簧。該低能耗的光伏風電箱變采用接地裝置能夠避免接地失效,且可以進行微調來補償安裝誤差;采用夾線裝置可以將箱體內部冗長的連接線進行梳理,避免其雜亂,影響后期檢修。
本實用新型公開了一種銅帶熱軋機的過渡托輥裝置,包括過渡輥安裝座,若干根過渡輥和過渡輥軸承蓋,過渡輥軸承蓋分為過渡輥軸承上蓋和過渡輥軸承下蓋,過渡輥軸承上蓋蓋合在過渡輥軸承下蓋上,過渡輥軸承上蓋和過渡輥軸承下蓋之間設有若干根過渡輥,過渡輥軸承上蓋和過渡輥軸承下蓋的前后側分別設有獨立的過渡輥軸承上端蓋和過渡輥軸承下端蓋,過渡輥軸承上端蓋和過渡輥軸承下端蓋分別通過螺栓與過渡輥軸承上蓋及過渡輥軸承下蓋連接。本實用新型能有效方便過渡輥的檢修和維護,減少了由于過渡輥傳輸失效而導致停機檢修的影響。
本實用新型公開了一種用于熱軋機爐前的接料輥裝置,包括底座、接料輥安裝座、接料輥和接料輥軸承蓋,底座的兩側分別設有接料輥安裝座,兩側的接料輥安裝座之間經接料輥軸承對應安裝有若干根接料輥,各接料輥軸承的外側分別設有接料輥軸承蓋,靠近熱軋機爐前出口一側的各接料輥軸承蓋的外側分別對應設有隔熱擋板,隔熱擋板內部設有冷卻介質通道,冷卻介質通道內設有冷卻介質。本實用新型可有效避免熱軋機爐前出口的高溫直接輻射到輥軸承蓋上,能很好的起到隔熱效果,防止由于溫度過高加速渡輥組件內潤滑油的消耗,導致接料輥傳輸失效,避免了軸承燒損,減少了由于接料輥傳輸失效而導致停機檢修的影響,隔熱擋板內部設置冷卻介質通道可進行自行降溫。
本發明提供了一種離子遷移譜儀及其載氣流量控制方法,所述離子遷移譜儀包括用于完成離子遷移的遷移管、用于生成試劑離子的電離源、用于向遷移管內輸送樣品氣體的進樣裝置、用于干燥并凈化載氣的分子篩以及用于測量并控制溫濕度、載氣流量的流量控制單元、溫度控制單元、濕度傳感單元和處理器單元。本發明通過設置加濕瓶和流量閥來調節控制進入遷移管內的載氣濕度,并通過在遷移管的出氣口和分子篩出口端設置濕度傳感器,比較二者檢測到的濕度差值,判斷分子篩是否失效;采用專家輔助PID控制方法控制載氣流量,提高了載氣流量控制的精度和平穩性;本發明采用嵌入式設計,使用方便,靈活性強,適用現場應用。
本實用新型提供了一種離子遷移譜儀,包括用于完成離子遷移的遷移管、用于生成試劑離子的電離源、用于向遷移管內輸送樣品氣體的進樣裝置、用于干燥并凈化載氣的分子篩以及用于測量并控制溫濕度、載氣流量的流量控制單元、溫度控制單元、濕度傳感單元和處理器單元。本實用新型通過設置加濕瓶和流量閥來調節控制進入遷移管內的載氣濕度,并通過在遷移管的出氣口和分子篩出口端設置濕度傳感器,比較二者檢測到的濕度差值,判斷分子篩是否失效;通過安裝于電機轉軸上的轉速傳感器來間接測量載氣流量,相比采用壓力傳感器進行分流式檢測,提高了載氣流量平穩性;本實用新型采用嵌入式設計,使用方便,靈活性強,適用現場應用。
本實用新型提供了一種離子遷移譜儀,包括用于完成離子遷移的遷移管、用于生成試劑離子的電離源、用于向遷移管內輸送樣品氣體的進樣裝置、用于干燥并凈化載氣的分子篩以及用于測量并控制溫濕度、載氣流量的流量控制單元、溫度控制單元、濕度傳感單元和處理器單元。本實用新型通過設置加濕瓶和流量閥來調節控制進入遷移管內的載氣濕度,并通過在遷移管的出氣口和分子篩出口端設置濕度傳感器,比較二者檢測到的濕度差值,判斷分子篩是否失效;通過安裝于電機轉軸上的轉速傳感器來間接測量載氣流量,相比采用壓力傳感器進行分流式檢測,提高了載氣流量平穩性;本實用新型采用嵌入式設計,使用方便,靈活性強,適用現場應用。
本實用新型公開一種MSM型金剛石快中子探測器的設計,該探測器包括底層和頂層Ti/Al歐姆接觸電極層,金剛石單晶層,Si3N4絕緣層,SiO2鈍化層,PCB板,鋁線,導電銀漿和SMA接頭。通過SMA接頭引出探測器與后級電子學的連接,收集快中子與金剛石產生的電荷。在頂層電極的表面沉積了一層SiO2鈍化層,防止器件機械性損傷,有助于表面沾污時清洗,保護水汽環境中器件失效。Ti/Al金屬的厚度為50/800nm。由于金剛石是目前已知的半導體材料中最耐輻照耐高溫的材料,且金剛石中的12C與快中子能直接發生核反應,本專利設計可應用于快中子的探測,如中子能譜測量、計數、束流監測和位置分辨等。
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