甘肅有色金屬真空冶金技術理論與應用

類包殼織構型耐蝕耐磨復合涂層及其制備方法 913     

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類包殼織構型耐蝕耐磨復合涂層及其制備方法，涂層由類包殼織構復合區、冶金熔合過渡區、擴散影響區構成，厚度可在2~5mm范圍內調整；所述類包殼織構復合區由細小均勻的硬質相顆粒均勻分布在球形合金區域之間，而硬質顆粒之間為合金，其間還具有幾乎連續不規則分布的GO薄片形成包圍合金區域的包殼。制備方法步驟為：（1）基材預處理；（2）復合粉末混制，將GO、硬質顆粒和鎳基合金粉末置于蒸餾水中，攪拌混合均勻，得到涂層復合粉末；（3）涂層涂覆，混合粉末涂覆前在金屬基體表面涂覆鎳基合金粉末作為過渡層；（4）類包殼織構型涂層燒結，將預燒件放入真空燒結爐，升溫并保溫分鐘，隨爐冷卻到150℃出爐，空冷至室溫，得到涂層。

高耐磨氧化鈹-氧化鋯核殼結構陶瓷球及其制備方法與應用 997     

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本發明公開了一種氧化鈹?氧化鋯核殼結構陶瓷球及其制備方法。該陶瓷球為核殼結構，核芯為BeO小球，殼層為ZrO2層；BeO小球平均直徑為0.6?0.8mm，ZrO2層平均厚度為0.3?0.4mm。制備方法：納米BeO陶瓷粉料和去離子水混合后得到BeO陶瓷料漿；將BeO陶瓷料漿噴霧干燥，得到BeO陶瓷顆粒；將BeO陶瓷顆粒種子加入造球機中，在種子上灑納米BeO粉末，同時噴霧水；持續滾制成型，直至成型為直徑0.7?1.0mm的小球；在BeO陶瓷球上灑納米ZrO2粉末，同時噴霧水，繼續滾制小球，直到成型為直徑為1.1?1.4mm的ZrO2包覆BeO核殼結構陶瓷球坯體；干燥，高溫真空燒結，即得。

無機三維骨架泡沫材料的制備方法 1161     

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本發明公開了一種無機三維骨架泡沫材料的制備方法，是將陶瓷粉體、金屬粉體或合金粉體加入到水溶性膠黏劑的水溶液中，經充分球磨的得到漿料；再采用聚氨酯泡沫作為模板，在蒸餾水中經超聲洗滌后向其中添加上述所制備的漿料，然后在不同方向反復擠壓直至漿料均勻附著在聚氨酯骨架結構中，除去多余的漿料，自然干燥，得到泡沫材料坯體；然后將坯體置于真空燒結爐中進行燒結，使有機交聯劑和聚氨酯骨架緩慢分解后完成致密化過程；自然冷卻，得到無機三維骨架泡沫材料。該泡沫材料中通孔均勻分布，孔徑大，比表面積高，吸能緩沖能力強；該方法工藝簡單，環保，可適用于陶瓷、陶瓷復合材料、金屬及合金材料等。

采用滾制成型工藝規?；a氧化鈹陶瓷球的方法 989     

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本發明公開了一種采用滾制成型工藝規?；a氧化鈹陶瓷球的方法。該方法包括下述步驟：(1)稱量高純納米氧化鈹陶瓷粉體和去離子水，經過球磨混合后得到固含量為55％?66％的氧化鈹陶瓷料漿；(2)氧化鈹陶瓷料漿進行噴霧干燥，得到平均粒徑為0.1?0.15mm的氧化鈹陶瓷顆粒；(3)氧化鈹陶瓷顆粒種子緩慢加入造球機中，在造球機轉動的過程中，一邊在種子上灑納米氧化鈹粉末，一邊以噴霧的方式噴入去離子水，持續滾制成型，直至得到平均直徑為1.2?3.3mm氧化鈹陶瓷球坯體；(4)置于室溫下干燥至含水率為2％?3％；(5)將坯體高溫真空燒結；所述燒結溫度為1650?1750℃，保溫時間3?5h，即得。

銅基石墨復合潤滑密封材料的制備方法 834     

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本發明公開了一種銅基石墨復合潤滑密封材料的制備方法，是先將石墨顆粒埋入鉻粉中，置于真空燒結爐中進行熱處理，得到表面具有碳化鉻層的石墨顆粒；再將聚乙烯醇溶液均勻噴灑在具有碳化鉻層的石墨顆粒表面，然后與銅粉或銅合金粉混合均勻，使石墨顆粒表面包覆銅粉或銅合金粉體得復合顆粒；最后將復合顆粒干壓成型后經排膠、熱壓燒結得到復合材料。本發明制備的銅基石墨復合潤滑密封材料中，石墨顆粒作為潤滑相組元在基體銅或銅合金材料中呈非均一的、團簇顆粒分布；基體材料形成三維貫通的網狀骨架結構；石墨顆粒與銅或銅合金基體通過碳化鉻界面相，提高基體和石墨顆粒的結合強度，進而提升材料整體力學性能及可靠性。

Mo?Re合金粉末的制備方法 1085     

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本發明公開了一種Mo?Re合金粉末的制備方法，包括按質量百分比分別稱取Mo粉與Re粉；將稱取的Mo粉與Re粉放入到氮氣環境下的氣流磨機中進行混合；將混合的Mo粉與Re粉置于真空燒結爐中進行真空松裝燒結，形成Mo?Re合金塊體；對Mo?Re合金塊體進行破碎和篩分。本發明的方法解決了現有技術中采用的固?固摻雜法制備出的Mo?Re合金粉末均勻性差、合金粉末顆粒與基體粉末顆粒結合強度低、氧含量較高進而影響合金粉末使用性能的問題。

用于高溫預置涂層的電子束熔覆改性方法 1106     

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本發明涉及一種材料表面涂層改性的處理方法,具體涉及一種高溫預置涂層電子束熔覆改性的工藝方法,屬于材料表面處理技術領域。其具體步驟為:以鈮鎢合金為基材,然后經過打磨、拋光、去油、酸洗、清洗以及干燥工序;把硅化物粉末制成涂層料漿,然后涂覆在步驟1)中的基材表面,在真空燒結爐中進行燒結預置,得到預置涂層樣件;將預置涂層樣件放置到距離電子槍100～300mm處。本發明在真空環境條件下的熔覆過程將能獲得更好的處理效果,工藝簡單,避免了大氣環境對涂層材料的破壞,工作效率高,鈮鎢合金表面具有一定厚度、表面顆粒排列整齊有序、表面平整度良好的耐熱抗氧化涂層,大幅提高了工件的耐高溫性能和抗沖刷性能。

納米正極材料LiFePO4的制備方法 1100     

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納米正極材料LiFePO4的制備方法，其步驟為：（1）計算反應物原料的摩爾比為Fe : C=?4 : 1，取FePO4·2H2O、Li2CO3作為原料，C作為還原劑，KNO3作為助燃劑，其中KNO3的添加量為15%~60%；（2）將稱量好的反應物料加入丙酮分散劑，在研缽中研細；（3）將混合均勻的物料置于模具中，在60~200MPa的壓力下壓制成直徑為9~69mm，10~45mm圓柱形壓壞，將壓坯放入真空燒結爐中，抽真空至壓力為0.015MPa，以30~300℃/min的升溫速率將試樣從20℃整體加熱到850℃等溫5min，使之完成熱爆反應；（4）將熱爆產物在800℃下進行等溫處理，處理時間為30min~120min。

制備高純金屬鑄錠的裝置 1116     

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本實用新型涉及真空冶金技術領域，尤其涉及一種用于制備功能薄膜用高純金屬鑄錠的裝置。結構包括坩堝，在所述坩堝外設有水冷套，在坩堝的上部設有感應加熱裝置；電子槍，所述電子槍設置在坩堝的上方，電子槍的發射口朝向坩堝內，在電子槍的一側設有裝有導輥的合金基料進料裝置。通過設置電子槍來發射電子束對金屬進行加熱熔化，可以避免熔料過程中對金屬的污染，同時可以用于活潑金屬及難熔金屬的制備。在水冷坩堝外設有的電磁感應加熱裝置對熔體進行加熱、保溫，既可以避免引入介質污染，又能通過渦流攪拌充分除雜、除氣，有效控制鑄錠雜質及氣體含量，還避免了熔體受熱不均及對坩堝及金屬帶來的沖擊和揮發，節約了成本。

用于連續制備高純金屬鑄錠的裝置 984     

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本實用新型涉及真空冶金技術領域，尤其涉及一種制備功能薄膜用高純金屬鑄錠的制備裝置。一種能夠用于連續制備高純金屬鑄錠的裝置結構包括坩堝，在坩堝外設有水冷套，在坩堝的上部設有感應加熱裝置；設置在坩堝的上方的連續進料裝置，所述連續進料裝置的結構包括：環形進料倉，所述環形進料倉的中心插有一根主軸，在主軸的另一端連接有電機，在所述環形進料倉的倉內設有多塊翻板，在環形進料倉的外側設有氣缸，所述氣缸通過連接桿與翻板聯接，在進環形料倉的下端設有導料筒。本實用新型提供了一種在有效控制高純金屬鑄錠雜質元素及氣體含量同時，能夠提高鑄錠包括內部缺陷、表面質量在內的物理性能，同時實現連續制備及生產的新型高純金屬真空熔煉裝置。

處理銻砷物料的裝置 1199     

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本實用新型公開了一種處理銻砷物料的裝置，以解決銻砷物料冶煉過程中有害雜質砷難以去除的問題。該裝置包括爐體、爐蓋、爐身，爐體內設有筒形耐火材料層，所述耐火材料層的中心放置有石墨坩堝，耐火材料層頂部放置有揮發物收集槽，揮發物收集槽位于石墨坩堝的頂部外側，揮發物收集槽與石墨坩堝之間留有間隙，耐火材料層的底部通過真空泵管與真空泵連接，石墨坩堝與耐火材料層之間設有加熱系統。本實用新型基于真空冶金原理，實現了銻砷合金物料中銻和砷的有效分離，處理過程清潔高效、無廢水廢渣產生，避免了砷的二次污染，同時金屬回收率高。

五級金屬直腔型高真空油擴散泵 1195     

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本實用新型涉及高真空油擴散泵，具體地說是一種五級金屬直腔型高真空 油擴散泵。它包括泵體，設置在泵體內泵芯、油室和噴射嘴，位于泵體外面、 底部的加熱器；泵體為直容腔；泵芯包括一級導流管及其一級噴嘴、二級導流 管及其二級噴嘴、三級導流管及其三級噴嘴、四級導流管及其四級噴嘴，二級 導流管、三級導流管和四級導流管與油室連接，一級導流管裝在二級導流管的 上面；二級噴嘴、三級噴嘴和四級噴嘴的間隙為固定間隙。它結構簡單，制作 容易，顯著提高高真空油擴散泵的抽氣速率、拓寬抽氣范圍，氣密性高，焊接 變形小，提高工作效率；能獲得10-2～10-6Pa高真空和超高真空環境。廣泛用于 航空航天、原子能、真空冶金、熱處理、鍍膜、化工等領域。

真空蒸餾提純金屬的裝置 751     

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本發明涉及一種真空蒸餾提純金屬的裝置，屬于真空冶金領域。所述裝置的蒸餾器采用由蒸餾器容器、蒸餾管、控制桿、磁性物質和磁鐵組成的控制流量定向蒸餾器，通過上下移動磁鐵，可靈活調節玻璃磨口錐形閥的閉合程度從而調節蒸餾管和控制桿之間空間的真空度；還涉及一種由真空系統、控制流量定向蒸餾系統和控制系統組成的真空蒸餾提純金屬的裝置，所述裝置可根據對所需提純金屬的純度要求，靈活增減多級控制流量定向蒸餾器的級數，達到獲得不同純度金屬的目的。所述裝置對低沸點金屬進行真空提純，效果良好，當使用三級控制流量定向蒸餾器時可達到99.9999％的純度。

真空蒸餾提純金屬的方法 968     

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本發明涉及一種真空蒸餾提純金屬的方法，屬于真空冶金領域。所述方法可根據對所需提純金屬的純度要求，靈活增減蒸餾的級數，獲得不同純度的金屬；所述方法采用由真空系統、控制流量定向蒸餾系統和控制系統組成的真空蒸餾提純金屬的裝置，裝置中的蒸餾器采用由蒸餾器容器、蒸餾管、控制桿、磁性物質和磁鐵組成的控制流量定向蒸餾器，通過上下移動磁鐵，可靈活調節玻璃磨口錐形閥的閉合程度從而調節蒸餾管和控制桿之間空間的真空度。所述方法對低沸點金屬進行真空提純效果良好，當使用三級控制流量定向蒸餾器時可達到99.9999％的純度。

真空爐蠟質捕集裝置 1192     

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本實用新型涉及真空爐脫蠟裝置，具體為一種真空爐蠟質捕集裝置，包括有脫蠟罐、底架、真空機組和低溫冷凍機，脫蠟罐內連接有脫蠟擋板Ⅰ和脫蠟擋板Ⅱ，脫蠟擋板Ⅰ和脫蠟擋板Ⅱ上連接有紫銅管，紫銅管與兩個制冷管連通；低溫冷凍機連接兩個制冷接管連通，還包括溶液罐，溶液罐連接在脫蠟罐頂面上，所述的脫蠟罐、溶液罐和底架均設有兩個；本實用新型脫蠟罐在進行蠟質捕集的同時還可有效防止油擴散泵的返油，整個脫蠟過程無需人工操作，省時省力，蠟質捕集效率高，對已捕集的蠟質，清洗方便，實現了脫蠟與蠟質清洗的同步進行，提高了工作效率，本實用新型可廣泛應用于真空冶金爐、真空干燥爐、連續式真空爐、低密度風洞等真空設備中。

高純金屬鑄錠的制造方法 965     

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本發明涉及真空冶金技術領域，具體涉及一種重量純度超過99.99%的高純金屬鑄錠的制造方法。一種高純金屬鑄錠的制造方法，其特征在于其具體工藝過程為：（1）將重量純度≥99.99%的金屬原料進行備料、裝爐、抽真空；（2）電子束對金屬原料進行加熱融化，得到金屬熔體；（3）經步驟（2）融化后得到的金屬熔體進入采用電磁感應加熱方式的水冷坩堝中繼續進行熔煉，實現除雜、除氣；（4）經步驟（3）得到的熔體進入水冷結晶器，成型得到高純金屬鑄錠。本發明方法能夠充分控制鑄錠中雜質及氣體含量，所制備的高純金屬鑄錠，具有純度高，鑄錠物理性好、成材率高、產品規格多樣化等優點，滿足集成電路等對于高端薄膜制備的性能要求。

處理銻砷物料的裝置和方法 769     

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本發明公開了一種處理銻砷物料的裝置和方法，以解決銻砷物料冶煉過程中有害雜質砷難以去除的問題。該裝置包括爐體、爐蓋、爐身，爐體內設有筒形耐火材料層，所述耐火材料層的中心放置有石墨坩堝，耐火材料層頂部放置有揮發物收集槽，揮發物收集槽位于石墨坩堝的頂部外側，揮發物收集槽與石墨坩堝之間留有間隙，耐火材料層的底部通過真空泵管與真空泵連接，石墨坩堝與耐火材料層之間設有加熱系統。處理銻砷物料的方法，包括以下加料、抽真空、升溫、保溫、降溫、卸料步驟。本發明基于真空冶金原理，實現了銻砷合金物料中銻和砷的有效分離，處理過程清潔高效、無廢水廢渣產生，避免了砷的二次污染，同時金屬回收率高。

從海綿銅浸出渣中富集貴金屬的方法 788     

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本發明公開了一種從海綿銅浸出渣中富集貴金屬的方法，包括：稀貴熔煉渣、海綿銅浸機械活化并磨礦作為原料；海綿銅浸出渣原料脫出賤金屬鎳銅；海綿銅浸出渣、稀貴熔煉渣與碳酸鈉、還原煤粉和硼砂還原熔煉；熔煉渣和合金分離，脫出鉛砷銻得到貴金屬合金。本發明采用海綿銅浸出渣加壓酸浸脫出賤金屬后與稀貴合金熔煉渣—還原熔煉—真空冶金—貴金屬合金的方法，此工藝在富集海綿銅浸出渣和稀貴合金熔煉渣中貴金屬的過程中不產生高鹽廢水和有毒、有害氣體，與傳統處理方法相比，具有流程短、貴金屬回收率高、清潔環保等優點，可提高資源的綜合利用水平。

銅精煉系統銻鉍渣生產精鉍的方法 815     

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本發明公開了一種銅精煉系統銻鉍渣生產精鉍的方法，本發明將含Bi?8-30%、Sb?20-60%、Cu?0.1-0.25%、Fe?5-15%、As?0.3-1.5%的銻鉍渣采用低溫熔煉，產生的高鉍合金采用真空冶金技術進行精練并進一步脫除銻砷等雜質，精練鉍金屬。整個過程銻的脫除率不低于96%，鉍的回收率不低于97%。采用本發明的方法，銻鉍渣的銻鉍能有效的分離處理，鉍金屬可以直接提取生產精鉍，分離處理的銻金屬可以作為氧化銻精礦進行銷售，對銅電解液中銻鉍等雜質元素的開路處理、為脫除銅陰極板中的雜質元素、提高銅陰極板的質量提供了良好的解決方法，本方法對現有生產不造成影響，工藝流程短、銻脫除率高、環境友好、金屬回收率高。

新型酸回收用真空分離器 818     

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本實用新型公開了一種新型酸回收用真空分離器，包括真空外殼、蒸餾架和回形管，所述真空外殼的底端設置有出液管，所述出液管與所述真空外殼固定連接，所述真空外殼遠離所述出液管的一端設置有排氣管，所述真空外殼的內部設置有內膽，所述內膽與所述真空外殼固定連接，所述內膽的內部設置有濾網，所述濾網與所述內膽固定連接，所述濾網的上方設置有蒸餾內膽，通過在蒸餾內膽的內部安裝了傳熱棒和蒸餾架，通過傳熱棒可傳遞加熱器的熱量，促使待分離酸液受熱更加均勻，并且通過蒸餾架加快了酸液受熱的接觸面積，提高了分離里酸液分離的工作效率，通過安裝U形管可保持蒸餾內膽內溶液容量的相對，確保了酸液分離充分。

真空燒結設備集臘裝置 1135     

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本實用新型屬于粉末冶金技術領域，具體涉及一種真空燒結設備集臘裝置，包括集臘罐、格柵板、水套夾層、水套法蘭和水套壓蓋，所述集臘罐內部焊接安裝有開孔格柵板，集臘罐圓周方向焊接有水套夾層，集臘罐兩側端面分別焊接固定兩片水套法蘭，兩片水套壓蓋通過螺栓與水套法蘭連接，本實用新型采用了水套夾層方式，在水套夾層的一側上端面和另一側下端面上開設有用來介質流通的孔，目的是為了通熱水使易于凝固的石蠟可迅速融化，防止管路堵塞造成安全隱患。同時通過集臘罐內部設置的格柵板，可有效阻隔塊狀或未融化的石蠟吸入真空泵內部導致設備故障。另外水套壓蓋與水套法蘭采用螺栓連接，方便操作人員在停爐后拆卸水套壓蓋清理臘液。

真空燒結生產熔噴氧化鉻的方法 867     

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本發明專利屬于新材料領域，特別涉及一種真空燒結生產熔噴氧化鉻的方法，包括如下步驟：步驟一，325目的三氧化二鉻細粉和有機膠結材料均化，加入純凈水增濕，液壓壓塊機壓塊，80℃內低溫烘干，再在500℃內預燒結固化；步驟二，將預燒結固化的壓塊擺放在真空燒結爐內，逐步升溫至1300℃~1450℃，真空度控制在50Pa內，持續保溫30~60h后，自然溫度降至1000℃后在真空燒結爐內充氬氣，達到常壓或微正壓，加快降溫速度，開爐門，冷卻至室溫后出爐；步驟三，冷卻后的成塊物料經過粗破?細破?整形?分級，得到不同粒徑的熔噴氧化鉻。本發明可以有效解決成品收成率過低的難題。有效解決了困擾氧化鉻常溫燒結制熔噴氧化鉻1650℃以上溫度普通窯爐難實現的問題。

真空燒結爐芯片固定裝置 977     

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本實用新型涉及一種真空燒結爐芯片固定裝置。其包括橫梁、豎直設置于所述橫梁兩端的固定桿，所述橫梁底面沿所述橫梁長度方向均勻排布有豎直向下的壓覆桿，所述壓覆桿與所述橫梁可拆卸連接，所述固定桿下端設有夾持固定裝置。本實用新型能夠將芯片封裝殼體緊緊壓覆在真空燒結爐加熱爐盤上的條狀凸臺上，在真空燒結爐抽真空時，芯片封裝殼不會再負壓作用下移動、掉落，從而保證芯片熔封作業順利完成。

真空燒結生產熔噴氧化鉻的裝置 1151     

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本實用新型屬于真空燒結設備技術領域，具體涉及一種真空燒結生產熔噴氧化鉻的裝置，包括抽真空管本體、真空燒結爐和真空泵，所述的抽真空管本體的前端與真空燒結爐的爐膛相連接，且抽真空管本體的后端與真空泵相連接，抽真空管本體的管路上設置有過濾管節與啟閉管節，且過濾管節與啟閉管節均通過法蘭與抽真空管本體固定連接；啟閉管節設在抽真空管本體靠近真空燒結爐的一端，且啟閉管節的內側鑲嵌有閥板；閥板與啟閉管節呈間隙配合，且閥板的外部包裹有包覆層；本實用新型采用真空燒結爐，替代傳統高污染電熔法、二氧化鈦燒結法、鋁熱法及化學混合燒結法的優勢，必將得到廣泛應用。