本發明公開了一種高滲透性石墨烯摻雜質子導體致密陶瓷透氫膜,由石墨烯和質子導體氧化物兩相構成,所述石墨烯的摻雜量為0.03~0.25wt%,所述質子導體氧化物的含量為99.75~99.97wt%。此外,還公開了上述高滲透性石墨烯摻雜質子導體致密陶瓷透氫膜的制備方法。本發明通過微量石墨烯的摻雜,使質子導體氧化物膜獲得了高的電子電導率,在顯著提高了質子導體氧化物膜的H2滲透通量的同時,大大改善了膜的熱穩定性和力學強度,有利于陶瓷透氫膜工業化的應用和發展。
聲明:
“高滲透性石墨烯摻雜質子導體致密陶瓷透氫膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)