權利要求書： 1.一種MOCD制程氫氮混合尾氣的分離提純再利用方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)預處理：將原料氣經預處理后得到壓力為常壓或低壓，溫度為20～120℃的氫氮混合氣體；
(2)精制除雜：經預處理的原料氣，再經脫氨、脫一氧化碳、脫氧和脫水后，完成精制除雜，得到氨氣、一氧化碳、氧氣含量小于0.1ppm且所含水分露點小于或等于-75℃的氫氮混合氣，最后經加壓至1.0～4.0MPa后進入下一工序；
(3)低溫變壓吸附：經精制除雜并加壓后的原料氣，進入由冷卻器、冷液分離器、低溫吸附系統組成的低溫變壓吸附工序，并在-90～-20℃的操作溫度、1.0～4.0MPa的操作壓力下進行低溫變壓吸附；其中，低溫變壓吸附系統至少由四個吸附塔組成，且一個吸附塔吸附，其余吸附塔再生，交替使用；吸附塔塔頂流出的氫氣經換熱至常溫后形成H2產品氣輸出，吸附塔塔底流出的富含N2的解吸氣進入下一工序；
(4)低溫精餾：來自低溫變壓吸附工序的富含N2的解吸氣，進入包括節流閥、冷凝器、內置式壓縮機、低溫液體泵與精餾塔組成的低溫精餾工序，在操作壓力為1.0～4.0MPa、操作溫度為-190～-100℃下進行低溫精餾；從工序中的精餾塔頂流出的富H2氣，經過換熱器至-
90～-20℃，在1.0～4.0MPa壓力下，返回到低溫變壓吸附工序，進一步回收H2與N2；從精餾塔底輸出的液氮，進入液氮產品罐，再依據所需N2的壓力與溫度經過汽化后形成直接使用的N2產品氣。
2.根據權利要求1所述的一種MOCD制程氫氮混合尾氣的分離提純再利用方法，其特征在于：所述原料氣為常壓或低壓的MOCD制備基于氮化鎵外延片生長的發光二極管制程中的廢氣；或為，除MOCD制程外的其余半導體制程中所產生的以氫氣、氮氣、氨氣為主要成分并含有其他雜質組分的廢氣或尾氣。
3.根據權利要求1所述的一種MOCD制程氫氮混合尾氣的分離提純再利用方法，其特征在于：步驟1中，所述預處理包括除塵、除油、脫氨、干燥和精過濾；經預處理后得到的氫氮混合氣體中，含有氮氣和氫氣，以及微量氨氣和痕量其他雜質組分，且其中氮氣濃度大于或等于50vt％。
4.根據權利要求1所述的一種MOCD制程氫氮混合尾氣的分離提純再利用方法，其特征在于：步驟3中，所述吸附塔中所填充的吸附劑為由活性氧化鋁、硅膠
聲明：
“MOCVD制程氫氮混合尾氣的分離提純再利用方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：四川天采科技有限責任公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
