本發明提供了一種太陽能級硅的制備方法,該方法采用金屬硅或金屬硅粉為原材料,通過化學除雜與物理冶煉除雜相結合的方法,將硅中的各雜質元素含量降到1PPM以下,特別是磷≤0.5PPM,B≤0.3PPM,電阻率≥2ΩCM,從而制得低成本的高純硅。與現有技術相比,本發明采用化學處理和物理處理相結合,能更有效地降低硅里面的雜質元素;能耗較低,設備投資少,建設周期短,過程的環保容易克服,相同規模的投資比較少;與純物理熔煉方法比較,更容易降低B、P的含量,所得產品純度高。
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