本發明涉及半導體材料領域,具體而言,涉及生產熱電轉換材料的方法,包括如下步驟:(A)將質量分數55%-60%的鉍、20%-30%的硒和10%-20%的碲混合,組成原料;(B)對原料進行真空熔煉處理,得到半導體熱電轉換材料BiSeTe金屬化合物。本發明是利用真空熔煉的方法,通過在傳統的硒化鉍材料中,均勻地摻雜了第VI族元素銻在硒化鉍的金屬合金里面,形成一種BiSeTe金屬化合物,改變了材料的能帶間隙,從而提高半導體合金里面的電載體自由“電子”的濃度,極大地提高了材料本身的熱-電性能,即所謂的ZT參數,摻雜的元素不會產生偏析,或者晶體缺陷。
聲明:
“生產熱電轉換材料的方法、裝置及生產濺射靶材的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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