本發明涉及一種雙配體材料提高CsPbIBr2多晶膜質量以降低CsPbIBr2探測器暗電流的方法,特別的是,通過雙配體材料在相對濕度低于60%的大氣環境下制備出結構穩定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探測器暗電流?;诒景l明制備的CsPbIBr2多晶膜適用于紫外光電探測技術領域,并有望進一步應用于X射線探測器技術領域。本發明利用兩種配體材料,通過對兩種配體材料在鈣鈦礦前驅體混合溶液中的比例調控以及采用制備多晶膜的噴涂法,在大氣環境下制備出結構穩定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,降低了其探測器的暗電流并提高了光響應。本發明方法工藝簡單,操作方便,成本低廉,適于工業生產。
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