本發明公開了一種用于半導體封裝的固晶材料制備方法包括以下步驟:步驟A、將石墨烯進行氧等離子處理,得到具有含氧官能團的石墨烯PTG;步驟B、配制PTG與醋酸銅的混合溶液,得到混合溶液A;步驟C、將混合溶液A加熱得到干燥混合物B;步驟D、將干燥混合物B放入真空退火爐內,并加熱分解得到PTG/銅納米顆粒;步驟E、將PTG/銅納米顆粒添加到納米銅粉和有機溶劑中,得到混合物C;步驟F、將混合物C放入燒結爐內燒結得到固晶材料。本申請的固晶材料在封裝前預先通過高溫使石墨烯與銅之間形成化學鍵,在與芯片和基板封裝時,只需使混合物C與芯片和基板發生冶金結合即可,滿足了第三代半導體封裝對固晶材料高熱導率、低溫封裝、高溫服役的要求。
聲明:
“用于半導體封裝的固晶材料制備方法及芯片封裝方式” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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