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    垂直型光電探測器及其制備方法

    875   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-02-28 01:00:09
    本發明涉及一種垂直型光電探測器的制備方法,包括:S1:選取襯底;S2:在所述襯底上生長底電極層;S3:在所述底電極層上生長二硫化鉬層;S4:在所述二硫化鉬層上生長雜化鈣鈦礦層;S5:在所述雜化鈣鈦礦層上生長頂電極。本發明可以使光電探測器二維材料溝道的背景載流子的完全耗盡,顯著降低了器件暗電流,提高器件在弱光下的探測性能;制備工藝簡單,生產成本低,無需昂貴的儀器設備等優點;制備的光電探測器可在零柵壓、低源漏偏壓下工作,具有優異的低功耗特性,且結構簡單、效率高、響應快、工作穩定、使用壽命長。
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