本發明提供了一種利用反溶劑一步法制備鈣鈦礦薄膜的方法,具體步驟如下:S1:配制鈣鈦礦前驅體溶液;S2:在鈣鈦礦前驅體溶液旋涂過程中滴加聚甲基丙烯酸甲酯?氯苯反溶劑;S3:進行熱退火得到鈣鈦礦薄膜。本方法制備的探測器,在光功率密度為707μW/cm2的532 nm激光二極管照射并且零偏壓的情況下,響應度達到了204.8 mA/W,探測度達到了4.71×1011 Jones。且本發明所采用的聚甲基丙烯酸甲酯?氯苯反溶劑,因其中羰基可以有效結合鈣鈦礦中的常見缺陷(Pb空位),提高鈣鈦礦薄膜的結晶性,提高晶粒尺寸,之后經過高溫退火獲得均勻致密無孔洞的高質量鈣鈦礦薄膜,從而獲得高性能的垂直結構光電探測器。
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