本申請公開了一種二維(BA)2PbBr4鈣鈦礦單晶及其制備方法和應用,屬于半導體X射線探測器領域。所述二維(BA)2PbBr4鈣鈦礦單晶為二維層狀結構。該單晶具有二維結構,具有高離子遷移擴散勢壘的二維鈣鈦礦材料在大偏置電壓下依舊有較小的暗電流和穩定性。該方法通過在降溫過程中,采取特定的降溫速率,從而制得具有二維層狀結構、優異結晶性的毫米級單晶。該單晶在9MeV高能X射線探測器中的應用,該探測器在不同的電場強度下,X射線探測器具有優異的靈敏度,最大為46.9μCGy?1cm?2;在?0.58Vμm?1外加偏壓下,經過9.0Gy的9MeV高能射線輻照,信號波動幅度小于1%。
聲明:
“二維(BA)2PbBr4鈣鈦礦單晶及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)