本發明屬于集成電路制造領域,其公開了一種原子層沉積制備有機無機雜化鹵素鈣鈦礦材料的方法,該方法主要包括兩部分:通過對材料基底進行3?氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)與氫碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面處理,實現含鉛前體的有效附著,能夠形成一層單分子層;通入有機銨鹽前體與單層含鉛前體反應形成單層材料,多次循環得到最終的有機無機雜化鹵素鈣鈦礦光電材料。本發明方法利用氣相的原子層沉積方法,通過調控循環周期數進而得到所需厚度的薄膜材料,并且能夠制備出大面積均勻的鈣鈦礦薄膜,從而拓展有機無機雜化鹵素鈣鈦礦材料在太陽能電池、光探測器、激光器等光電領域的應用。
聲明:
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