本發明涉及一種提純硅廢料制備高純硅的方法,以含硅90%以上的塊狀的單晶硅尾料或堝底料作為原料,進行真空蒸發及定向冷凝精煉提純處理,首先加熱到原料的熔點以上,在真空狀態下保溫進行真空蒸發,去除易揮發的雜質,然后再拉伸冷卻進行真空定向冷凝精煉提純處理,使得金屬雜質富集于一端,既除去了非金屬雜質,又除去了金屬雜質,制備得純度在99.999%以上的高純硅。
聲明:
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