本發明涉及一種制備碳化硅納米線的方法,以硅礦、石英、廢光纖、廢石英和生 物質灰廢料等含SiO2的廢料為原料,以碳、竹炭、煤、廢活性炭、焦煤和褐煤等為 還原劑,兩者按摩爾比1∶0.5~6進行配比混合,經真空碳熱還原,控制真空度 10-2~10-4Pa,溫度700℃~2000℃,還原反應時間10min~2h,反應后自然冷卻至室溫, 再經700~900℃下灼燒及洗滌、過濾、干燥,制備得直徑為30-120nm,長度在微米級 SiC納米線。
聲明:
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