本發明公開了一種雜質中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料的制備方法及其應用。該制備方法可以在鹵化物鈣鈦礦單晶材料的禁帶中引入一個新的雜質能帶,通過能帶結構的調控,在不改變其帶隙大小的情況下大幅拓寬其光響應范圍。本方法制備的雜質中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料具有光譜響應范圍可調,制備簡單,成本低廉等優點,在光電探測器、發光二極管、光催化等領域有巨大的應用前景。
聲明:
“誘導鹵化物鈣鈦礦單晶成為雜質中間帶半導體的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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