本發明公開了一種鈣鈦礦單晶的生長方法,具體步驟為將AX、PbX2按照1:1比例溶解,接著加入抗溶劑使溶解接近飽和,隨后利用一維微模板的為一維晶種,通過升溫生長出具有完整晶面的鈣鈦礦APbX3單晶,并通過剝離模板獲得高質量的微曲面APbX3晶體。其中X為Br?、Cl?、I?中的一種或其混合陰離子,A為Cs+、Ru+、甲胺陽離子、甲脒陽離子或其混合陽離子。該方法能夠避免容器底部或容器壁的影響。以一維微模板為成核中心,能夠得到高質量的單晶平面和曲面,在光電探測器表現出了較好的光電性能。
聲明:
“鈣鈦礦單晶的生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)