本發明公開了一種基于混合溶劑的全無機鈣鈦礦Cs3Sb2Cl9的單晶生長方法,利用多溶劑法制備全無機鈣鈦礦材料Cs3Sb2Cl9的前驅體溶液,有效提高了前驅體溶液的飽和濃度值。通過添加多種溶劑,及調節溶劑之間的不同配比,有效提高氯化銫和氯化銻混合物在溶劑中的溶解度。通過對前驅體溶液進行相應處理并改進晶體生長環境,同時合理調節不同生長階段的降溫速度,使用正溫結晶法生長出大尺寸,高結晶質量的純無機鈣鈦礦Cs3Sb2Cl9單晶,使用生長出的高質量單晶。本發明能得到對深紫外有一定響應性的大尺寸、高質量Cs3Sb2Cl9單晶。該制備方法步驟簡單,成本低廉,過程可控,且制備的材料無毒無害對人體和環境友好,為制備綠色友好型半導體探測器提供可行性方案,具有顯著推廣價值。
聲明:
“基于混合溶劑的全無機鈣鈦礦Cs3Sb2Cl9的單晶生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)