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在硅片上復合ZNO錐狀納米結構的半導體材料及其制備方法

1163 編輯：管理員來源：中冶有色網

2023-03-02 00:30:07

本發明公開了一種在硅片上復合ZNO錐狀納米結構的半導體材料及其制備方法,其材料包括襯底,該襯底采用硅片,襯底表面生長有ZNO晶體;所述的ZNO晶體沿垂直于硅襯底方向生長并呈六角纖鋅礦尖錐型結構,長度為5～10ΜM,底端直徑為3～6ΜM,尖端為100～150NM;制備方法采用醋酸鋅水溶液加入氨水置于高壓釜中反應,得到ZNO錐狀納米結構。本發明具有成本低,生長溫度低,重復性高等優點,且生成的ZNO錐狀納米結構具有納米級的尖端,底部是六角狀結構,其獨特的構造,使得它可用于高效的場發射材料,且可用于制作各種精密儀器的探頭;也可結合目前成熟的半導體硅集成電路工藝,適合于集成納米光電子器件的發展。

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