本發明公開了一種基于空穴傳輸層的鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,涉及光電探測器件技術領域,包括從下到上依次設置的透明襯底、導電陽極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層、空穴傳輸層以及金屬陰極;所述鈣鈦礦空穴傳輸層為Car?4?TPA,分子結構簡單,空穴遷移率高、電導率高和溶解性好,且能級較高,由所述空穴傳輸材料制備的鈣鈦礦光電探測器的反向注入少,有效地提高了鈣鈦礦光電探測器的暗態電流,同時能夠提升其光電流,從而提升了器件的探測率。與傳統器件所使用的Spiro?OMeTAD相比,其空穴傳輸層不需要氧化,能夠有效地減少水氧對器件的侵蝕,從而提高鈣鈦礦光電探測器件的穩定性和壽命。
聲明:
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