高集成高可靠工作溫度可控厚膜混合集成電路及其集成方法,該電路由器件管殼基座(1)、管腳(9)、氮化鋁陶瓷基片(2)、半導體芯片(3)、熱敏元件(4)、厚膜阻帶(5)、厚膜導帶/鍵合區(6)、N型半導體(7)、P型半導體(8)、微型熱電致冷器(11)和絕緣介質(10)組成,陶瓷基片(2)正面是微型熱電致冷器(11)與常規混合集成電路的一體化集成;N型半導體(7)、P型半導體(8)兩端引有連接線,之間填充絕緣介質(10);陶瓷基片(2)置于器件管殼基座(1)之上。集成方法是高真空濺射并進行刻蝕形成金屬電極、N型半導體、P型半導體。本集成電路可以解決外界溫度在125℃以上或-55℃以下的正常工作問題。廣泛應用于航天、航空、船舶、精密儀器、地質勘探、石油勘探、通訊等領域。
聲明:
“高集成高可靠工作溫度可控厚膜混合集成電路的集成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)