本發明公開了一種DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料制備方法,通過降溫控制溶液生長法獲得光學帶隙合適、光吸收系數高的大尺寸鈣鈦礦單晶材料。本發明還公開了一種離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料的制備方法,在DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料表面進行Cu元素離子的注入,獲得離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料,增加材料本征載流子濃度。本發明還公開了一種離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料的應用,應用本發明的離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料制備光探測器,本發明降低鈣鈦礦單晶探測器的暗電流,從而提高其光探測率性能。
聲明:
“DMAPbI3鈣鈦礦單晶的制備方法及其離子注入探測器的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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