本發明公開了一種無鉛全無機鈣鈦礦銫鉍碘薄膜/n?型硅異質結光電探測器及其制備方法,其是以n?型硅基底為光電探測器的基區,在n?型硅基底的下表面設置n?型硅基底電極;在n?型硅基底的上表面覆蓋絕緣層,在絕緣層上覆蓋鈣鈦礦CsBi3I10薄膜接觸電極,在鈣鈦礦CsBi3I10薄膜接觸電極上鋪設鈣鈦礦CsBi3I10薄膜,薄膜一部分與鈣鈦礦CsBi3I10薄膜接觸電極形成歐姆接觸,剩余部分與n?型硅基底表面未覆蓋絕緣層的部分形成異質結。本發明的光電探測器工藝簡單、成本低廉、性質穩定、電流開關比大、響應速度快。
聲明:
“無鉛全無機鈣鈦礦銫鉍碘薄膜/n-型硅異質結光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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