本發明提出了一種半導體激光器芯片及其制造方法,其中一種半導體激光器芯片包括:自下而上依次為N面散熱結構、N面電極、N區外延層、有源區、P區外延層、P面電極和P面散熱結構,所述N面電極通過生長襯底的轉換方式形成。本發明的半導體激光器芯片制造方法過程中,生長襯底能夠重復利用,降低生產成本,其中生長襯底的As不會帶入半導體激光器制備的后續工藝流程,降低工業廢水的污染治理成本;避免了可能導致機械損傷的研磨過程,進而提高了半導體激光器的質量可靠性,使得其具有明顯的技術先進性和良好的經濟效益。
聲明:
“半導體激光器芯片及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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