本發明公開一種端基炔化合物改性硅膠的制備及汞離子吸附的應用,利用氨丙基三甲氧基硅烷作為偶聯劑,將炔基接枝到硅膠表面,合成一種端基炔化合物改性硅膠,這種單層的末端炔基修飾的硅膠不僅比傳統硅膠有更好的汞離子吸附效率,而且在制造過程中使用的硅膠更少,應用于處理含有汞離子廢水時處理時間短,過程中不會對環境造成污染。其制備過程簡單,實驗條件溫和,使用的原料價格相對低廉,成本較低,可規?;瘧糜诤泄x子廢水的處理。
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“端基炔化合物改性硅膠的制備及汞離子吸附的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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