一種Ⅲ族氮化物晶體的生長方法,包括以下步驟:把C片、固體的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反應釜的坩堝中,密封反應釜,將反應釜加壓升溫至預定的過渡條件;Ga-Na源材料由固體變為Ga-Na溶液,C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在氣液界面,同時C片開始在Ga-Na溶液上部區域緩慢溶解,使得Ga-Na溶液上部區域處于高C濃度氛圍下;對反應釜繼續加壓升溫,加壓升溫至預定的生長條件(700~1000℃,1~50MPa),籽晶處開始GaN單晶生長;GaN單晶達到目標厚度后,對反應釜降溫降壓并排除廢液并取出晶體。本發明通過抑制N與Ga的結合,阻止GaN多晶的形成,提高了GaN單晶的生長速率。
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