本發明公開了一種生產含硫化合物半導體的方法,包括:在工藝室(3)中為含硫化合物半導體提供至少一個涂覆有前體(4)的基底(5);在工藝室(3)中對涂層基底(5)進行熱處理,其中,在熱處理期間,在工藝室(3)中輸入包含至少一種氣態硫族化合物的工藝氣體;將涂層基底(5)熱處理后存在的氣體作為廢氣從工藝室(3)中移除;在氣體處理器(13)中冷卻廢氣。其中,在對所述涂層基底(5)進行熱處理后的廢氣中存在的多個氣態硫族化合物通過各自轉化為液體或固體的形式在時間和空間上彼此從廢氣中分離。本發明還提供了一種用于執行上述方法的裝置。
聲明:
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