本發明提供一種無需設定物質、化學反應的信息,而可以從大量的波長下的波形,選定代表性的少數的波長,可以削減花費大量的工時的蝕刻數據的解析,而高效地進行蝕刻的監視/測定的設定的蝕刻裝置。在蝕刻裝置中,具備:按批量晶片階段的OES數據檢索/取得功能(511),取得多個沿著蝕刻處理時間軸的發光強度波形;波形變化有無判定功能(521),判定在多個發光強度波形中有無變化;波形相關矩陣計算功能(522),計算發光強度波形間的相關矩陣;波形分類功能(523),將發光強度波形分類為組;代表波形選定功能(524),從組選定代表性的發光強度波形。
聲明:
“蝕刻裝置、分析裝置、蝕刻處理方法、以及蝕刻處理程序” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)