一種用于化學干蝕刻系統的系統和方法。本發明提供了一種執行用于集成電路制造的蝕刻工藝的方法。該方法包括提供半導體晶片,所述半導體晶片包括待在等離子體室中進行蝕刻的層。該方法還包括將半導體晶片保持在預定環境中的步驟。該方法包括使層的一部分經受等離子體環境。等離子體環境包括一種或更多種等離子體物質。例如,等離子體物質用于執行蝕刻。該方法還包括使用感測設備監視第一傳輸裝置中的壓力條件。傳感設備在空間上配置在閥和抽運設備之間。閥耦合到等離子體室所耦合的第二排氣裝置。該方法還包括確定在第一排氣裝置內的壓力條件是否在預定條件內。該方法包括,如果在第一排氣裝置內的壓力條件在預定條件內,則通過第一排氣裝置、通過閥以及通過第二排氣裝置將一種或多種等離子體物質去除。
聲明:
“用于化學干式蝕刻系統的系統和方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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