本發明涉及一種岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極的制備方法,其采用化學沉積?電沉積方法在孔徑為80~200?nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金,得到三維金納米柱陣列電極;在三維金納米柱陣列電極表面通過循環伏安法電聚合修飾聚硫堇,形成聚硫堇/三維金納米柱陣列電極;在聚硫堇/三維金納米柱陣列電極上結合戊二醛,再將岡田酸抗體固定到戊二醛上,形成岡田酸抗體/戊二醛/聚硫堇/三維金納米柱陣列電極;最后用牛血清蛋白封閉電極,制得岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極。本發明電極具有三維結構,表面積大,制備簡單,穩定性好,抗體固定牢固,操作簡便,檢測限低,靈敏度高,可實現快速檢測。
聲明:
“岡田酸三維金納米柱陣列免疫電極的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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