本發明公開一種用于微機電構件硅深腔的無損檢測方法,將清潔后的硅深腔構件(1)作為模具,使用聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)倒入硅深腔構件(1)內進行鑄摸,脫模后即得到凸起的具有硅深腔構件內表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3),對聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3)外部形貌參數進行檢測,然后進行反推運算即可得知硅深腔構件(1)內表面的形貌參數,檢測過程簡單方便,且無需破壞深腔構件(1),能夠有效地降低檢測成本。
聲明:
“用于微機電構件硅深腔的無損檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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