本發明提供了一種暴露絕緣體上硅器件有源區的方法、應用和失效分析方法,涉及有源區失效分析技術領域。該暴露絕緣體上硅器件有源區的方法,針對有源區下方深埋有氧化層的這種具有特定結構的絕緣體上硅器件,先去除金屬層之后采用特定組成的第一腐蝕液于特定時間內去除多晶硅層,然后將接觸孔層去除,最后再將氮化硅層和絕緣氧化硅層去除,從而使得有源區完全暴露。上述方法避免了采用現有去層方法導致深埋氧化層與硅襯底產生分離的問題,打破了目前絕緣體上硅器件無法去層至有源區的空白,使得有源區可以完全且完好的暴露,對后續于有源區的失效分析提供了前提條件。本發明還提供了上述暴露絕緣體上硅器件有源區的方法的應用和失效分析方法。
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