本公開實施例公開了一種半導體器件失效時刻預測方法、裝置、設備及介質。本公開實施例提供的半導體器件失效時刻預測方法,包括:獲取所述半導體器件的靜態參數的第一階段測試數據,其中,所述測試數據為時間序列數據;基于所述第一階段測試數據和預先構建的差分整合移動平均自回歸ARIMA模型得到所述半導體器件的第二階段預測數據;基于所述半導體器件的第二階段預測數據確定所述半導體器件的失效時刻。本公開實施例的技術方案解決了現有的HCI測試耗時過長,無法滿足工業生產過程中產品數量大、工期緊的需求的技術問題,大幅縮短了半導體器件失效時刻的獲取時長,降低了測試成本,提高了測試效率。
聲明:
“半導體器件失效時刻預測方法、裝置、設備及介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)