1.本發明屬于金屬氧化物靶材術領域，具體涉及氧化銦錫鋅靶材及其制備方法。背景技術：2.銦錫鋅氧化物(insnznox，以下簡稱itzo)，是一種透明非晶氧化物半導體(taos)，可以作為有源層參與制作薄膜晶體管(tft)，即taos-tfts，用作有源矩陣平板顯示器的背板。相較于近年來被廣泛應用在amoled產業中的銦鎵鋅氧化物(igzo)，itzo由于極輕的載流子有效質量(m*)和較長的載流子弛豫時間(τ)，具有5倍以上的遷移率。隨著顯示技術的發展，高刷新率、高分辨率是未來的市場趨勢，這對薄膜晶體管(tft)的遷移率提出更高的要求，itzo有望成為這樣的次時代材料。3.目前igzo-tfts存在的主要問題是遷移率不夠高(10～20cm2/vs),而且ga元素成本較高。itzo薄膜作為itzo-tfts器件的有源層材料，一般通過磁控濺射從itzo靶材沉積在絕緣襯底上。磁控濺射是當前獲得透明導電薄膜的主要方法，濺射過程中的電弧現象和靶材表面的結瘤現象嚴重影響濺射效率和靶材的利用率。4.提供一種遷移率高，性能好的靶材是目前急需解決的技術問題之一。技術實現要素：5.有鑒于此，一方面，一些實施例公開了氧化銦錫鋅靶材的制備方法，包括：6.納米氧化銦粉體、納米氧化錫粉體和納米氧化鋅粉體按照設定比例混合，得到混合粉體；7.得到的混合粉體與設定比例的消泡劑、分散劑、粘結劑混合，然后依次經過高速分散處理、超聲處理和球磨混合，得到混合漿料；8.混合漿料經過噴霧造粒，得到氧化銦、氧化錫、氧化鋅混合粉體；9.得到的混合粉體經過放電等離子燒結；10.燒結得到的產物經過退火，得到氧化銦錫鋅靶材。11.進一步，一些實施例公開的氧化銦錫鋅靶材的制備方法，納米氧化銦粉體、納米氧化錫粉體、納米氧化鋅粉體的質量比設定為1.1:0.1:1.0。12.一些實施例公開的氧化銦錫鋅靶材的制備方法，納米氧化銦粉體、納米氧化錫粉體、納米氧化鋅粉體的粒徑為50～200nm，純度為99.99％。13.一些實施例公開的氧化銦錫鋅靶材的制備方法，混合漿料中，混合粉體的質量含量為50～55％。14.一些實施例公開的氧化銦錫鋅靶材的制備方法，混合漿料中，消泡劑的質量含量為0.1～0.3％；分散劑為聚丙烯酸、氨水、純水、以及正辛醇配制而成的ph為7的溶液；分散劑在混合漿料中的質量含量為0.5～1.0％；粘結劑為聚乙烯醇，粘結劑在
聲明：
“氧化銦錫鋅靶材及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：鄭州大學
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2025年08月07日 ~ 09日 
