1.本發明涉及數據處理技術領域，具體而言，涉及一種多晶硅還原爐的參數配置方法、裝置、終端設備及介質。
背景技術：
2.多晶硅是光伏產業的主要原料，在雙碳政策下的能源結構調整中發揮重要作用。還原爐是多晶硅行業中的核心設備，用于氫氣和三氯氫硅在通電高溫硅芯上進行沉積反應生成多晶硅產品。
3.相關技術中，對于每個還原爐，需要用戶在dcs系統中人工手動、三氯氫硅進料量，另外，還需要在plc系統中人工手動輸入內、中、外三圈電壓和電流設定值，以控制還原爐。
4.但是，相關技術中，需要用戶分別在dcs系統和在plc系統中人工手動輸入參數，浪費了不必要的人力資源，降低了用戶體驗。
技術實現要素：
5.本發明的目的在于，針對上述現有技術中的不足，提供一種多晶硅還原爐的參數配置方法、裝置、終端設備及介質，以便解決相關技術中，需要用戶分別在dcs系統和在plc系統中人工手動輸入參數，浪費了不必要的人力資源，降低了用戶體驗的問題。
6.為實現上述目的，本發明實施例采用的技術方案如下：
7.第一方面，本發明實施例提供了一種多晶硅還原爐的參數配置方法，所述方法包括：
8.顯示多晶硅還原爐的多組參數，其中，每組參數包括：進料參數，以及工作電參數；
9.響應輸入的針對所述多組參數中一組目標參數的選擇操作，確定所述目標參數為目標多晶硅還原爐的控制參數，以根據所述進料參數，控制所述目標多晶硅還原爐以所述工作電參數進行運行。
10.可選的，所述方法還包括：
11.在所述目標多晶硅還原爐對應的顯示區域內，顯示所述目標參數；
12.響應輸入的針對所述目標參數的修改操作，修改所述目標參數，得到修改后的目標參數；
13.將所述修改后的目標參數確定為所述目標多晶硅還原爐的最新控制參數。
14.可選的，所述在所述目標多晶硅還原爐對應的顯示區域內，顯示所述目標參數，包括：
15.在所述目標多晶硅還原爐對應的顯示區域內分頁顯示所述目標參數。
16.可選的，將所述修改后的目標參數確定為所述目標多晶硅還原爐的最新控制參數，包括：
17.若所述錄入控件處于觸發狀態，響應輸入的針對保存控件的選擇操作，將所述修改后的目標參數確定為所述目標多晶硅還原爐的最新控制參數。
18.可選的，所述方法還包括：
19.若所述錄入控件為未觸發狀態，將所述目標參數設置為不可修改狀態。
20.可選的，所述將
聲明：
“多晶硅還原爐的參數配置方法、裝置、終端設備及介質與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：浙江中控技術股份有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
