本發明涉及紅外氣體探測器的敏感元件,具體是一種集成黑硅納米結構吸收層及多層組合膜結構的敏感元件,進一步提高了熱釋電薄膜型紅外氣體探測器的檢測性能。所述敏感元件由兩塊敏感元基片加工獲得,其加工方法包括:1、加工第一敏感元基片;2、加工第二敏感元基片;3、加工敏感元件。加工工藝合理,所得敏感元件具備良好的熱吸收性能和熱響應性能,能用于構建高性能紅外氣體探測器,滿足環境安全、煤礦生產安全、以及?;窔怏w儲運、煤氣管道防泄、森林火災防護、工業安全生產等領域中的監測需要。
聲明:
“集成黑硅納米結構吸收層及多層組合膜結構的敏感元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)