本發明公開了一種硫化亞銅微米環狀結構半導體材料,其中包括片狀物構成的層級結構和顆粒構成的多孔環狀結構。本發明還公開了所述硫化亞銅微米環狀結構半導體材料的制備方法,將無水乙醇和去離子水混合制備混合溶液,分別制備硫脲溶液和CuCl溶液,然后均勻混合;加入反應釜中,密封,在150℃下反應5小時;反應完成后,將反應物置于硅片上,在55℃下烘烤,得到所述硫化亞銅微米環狀結構半導體材料。本發明具有低成本,生長溫度較低,重復性較高的優點,在光催化工業污染廢水方面和場發射發光方面有極大的潛力。
聲明:
“硫化亞銅納米環狀結構半導體材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)