本發明公開了一種提高鈣鈦礦量子LED發光效率的表面純化法,其步驟為:1)向CsPbX3量子點溶液中加入絮凝劑,離心后取沉淀;2)將沉淀分散在有機溶劑中,再加入提純溶劑,再次離心,取沉淀;3)將步驟2)中得到的沉淀再次分散在有機溶劑中,得到提純后的CsPbX3量子點。本發明通過篩選不同的溶劑和循環次數對鈣鈦礦量子點進行表面純化,減少量子點表面的配體數量,在保證光致發光量子產率的同時能夠提高電荷注入率,從而獲得高發光效率的QLED,純化后的QLED的光致發光量子產率保持在90%以上,外量子效率從0.9%提高到3.2%。
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