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GSL-1600X-FS3KW是一款1600℃水平式閃燒爐，專為快速燒結陶瓷材料而設計，配備3KW可編程交流電源，可通過電極法蘭將正負極電極絲引入剛玉樣品夾具，施加電場實現閃燒工藝。其最高溫度可達1600℃，采用硅鉬棒加熱元件，加熱區長度為290mm，推薦升溫速率為≤10℃/min。相較于傳統燒結工藝，該設備具有超快速、節能且有利于制備細晶化陶瓷的優勢。其可廣泛應用于固體氧化物燃料電池、鐵電熱電陶瓷、固態電解質等領域的材料燒結。在冶金領域，這種快速燒結技術可用于研究陶瓷材料的微觀結構和性能，為開發高性能陶瓷基復合材料提供支持。
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OTF-1200X-50-DSL是一款專為定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）設計的水平滑軌式CVD生長爐，同時也適用于在硅片上生長低熔點金屬單晶。其爐管直徑為Φ50mm，爐體滑動速度可在1mm/s至100mm/s范圍內調節，并支持左右反復滑動及自定義滑動距離，為實驗提供了高度的靈活性。該系統配備可設置30段程序的高溫爐、一根Φ50×1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭，能夠滿足多種材料生長的需求。在冶金領域，該設備可用于研究低熔點金屬的單晶生長機制，為開發高性能金屬材料提供重要的實驗支持。
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RC-Ni-100是一款專為高溫高壓冶金實驗設計的100ml反應釜，采用鎳基高溫合金鋼制作，具有極高的蠕變強度和抗氧化性。該設備最高工作溫度可達1100℃，在該溫度下可承受最高壓力為4MPa，非常適合在高壓氧環境下對金屬樣品進行熱處理，以及通過水熱法合成高性能冶金材料。其優異的耐高溫高壓性能，使其成為冶金領域研究和開發新型材料及工藝的理想工具。
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SKJ-50CZ是一款高質量的CZ晶體生長爐，最高溫度可達2100℃，適用于冶金領域中高純度金屬單晶及氧化物單晶的生長。該設備可生長藍寶石、GGG、YAG、LaAlO?、Si、Ge等多種材料，最大晶體尺寸可達3英寸。其配備中/高頻切換復合感應電源，滿足不同材料的熔煉需求，同時采用高精度上稱重模式和在線稱量裝置，確保晶體生長過程的精確控制。此外，設備還具備高真空度（最高可達5.0×10?3Pa）和全不銹鋼水冷腔體，保證生長環境的穩定。
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GSL-1800X-PGEP是一款專為納米結構氧化物合成設計的多功能系統，廣泛應用于冶金領域。該系統由超聲霧化裝置、1800℃管式爐和靜電沉降裝置組成，通過前驅體霧化、高溫加熱和納米顆粒收集三個步驟，實現納米材料的精確制備。其獨特的設計能夠精準控制顆粒尺寸、形態以及納米/微粒結構，為冶金研究提供了一種先進的實驗手段，尤其適用于開發高性能納米復合材料和新型冶金催化劑，助力冶金工藝的創新與優化。
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VTF-1200X-III-TSSG是一款3溫區頂部籽晶助熔劑法（TSSG）晶體生長爐。此設備主要由3部分組成：3溫區加熱爐（爐膛尺寸為：Φ127mm×600mm,最高溫度為1200℃），溫控系統可設置28段溫度程序段，控溫精度±1℃和精密旋轉提拉機構，其提拉速度為0.8-50mm/hour。
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OTF-1200X-SCB是一款小型晶體生長爐，適用于提拉法或布里奇曼法生長單晶，其最高溫度可達1100℃。設備主要由提拉機構和爐體組成，提拉機構具有提拉&旋轉功能，爐體采用立式雙溫區管式爐，爐管為直徑為Φ50mm的石英管，并且配有不銹鋼密封法蘭，此設備可采用提拉法（用籽晶從熔融態原來中提拉出單晶）或布里奇曼法（將樣品封入到小石英試管里，石英試管在加熱區內向下移動）生長各種單晶。
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FMF-65是一款落地式水冷坩堝真空懸浮感應熔煉爐系統，并且帶有坩堝傾倒裝置，可做金屬澆注實驗，可用于新一代磁性合金和金屬材料的探索研究。設備中包含一功率高達65KW的感應熔煉爐，可有效地加熱高達250g的金屬樣品（Ti），最高加熱溫度達1800℃。不銹鋼真空腔體保證樣品可在真空或氣氛保護環境下進行熔煉，采用特殊樣式的水冷銅坩堝使得金屬樣品能夠在熔煉過程中懸浮，避免了坩堝對物料的污染。熔煉過程中強烈的電磁攪拌也能夠保證其樣品內部的溫度及化學成分的均一性。
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VMCS-1200-LD是一款1200℃的熔煉/鑄造爐，適合在氣氛保護環境下熔煉各種合金，最高溫度可達1200℃。該設備采用封閉腔體設計，可有效防止樣品在熔煉和澆注過程中生成氧化物及形成缺陷。其石墨坩堝直徑為60mm，配備電阻絲加熱和石墨攪拌棒，能夠快速熔煉金屬，僅需6-8分鐘。此外，該設備操作簡單，只需設置鑄造溫度、添加樣品并擠壓操縱桿即可完成澆注。設備安裝尺寸為770mm×460mm×460mm，重量為54kg，配備雙極旋片真空泵，所需氣體流量為5L/min。
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IMCS-1700HP是一款高壓氣氛控制感應熔煉/鑄造/造粒爐，最高工作溫度可達1700℃，腔體可承受氣壓為1MPa，適用于處理1kg合金樣品。該設備采用三相380VAC電源，最大輸入功率為25kW，配備感應線圈尺寸為170mm（內徑）×110mm（高），并具備自動水壓、過熱和功率過高保護功能。熔煉腔體采用SS304不銹鋼制作，帶有水冷夾層，確保工作時表面溫度低于60℃，并配備安全卸壓閥。溫控系統采用PID方式控溫，可設置30段升降溫程序，控溫精度為±5℃，連續工作溫度范圍為500℃~1600℃，短時間內可達到1700℃。
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OTF-1200X-Ⅱ-S2是一款雙溫區帶有升降雙通道進料系統的共蒸發多層沉積管式爐，通過升降雙通道進料系統可裝載4個不同材料的蒸發坩堝舟，并且可一次同時送入兩個蒸發坩堝源進入管式爐中進行共蒸發或反應蒸發。雙溫區管式爐可以實現快速加熱，并且通過對各個溫區設置不同的加熱溫度可以創建不同的溫度梯度從而實現蒸發沉積。雙通道進料系統可以在程序控制下將2個裝載不同蒸發料的坩堝一同推進拉出，實現共蒸發或者反應蒸發，特別適用于多層二維晶體材料的制備。
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OTF-1200X-IV-S是一款迷你型的4溫區管式爐，所有電器元件都通過了UL / MET / CSA認證。此款管式爐最高工作溫度1100℃，共有4個溫區，每個溫區長度為100mmL爐管直徑為25mm或50mm,并配有一套不銹鋼密封法蘭，可對樣品在真空或氣氛保護環境下進行熱處理。每個溫區由獨立的溫控系統控制，都可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃。
2025年09月12日 ~ 14日 
2025年08月21日 ~ 23日 
2025年08月19日 ~ 21日 
2025年08月18日 ~ 20日 
2025年08月15日 ~ 17日 
