一體化污水處理器是將一沉池、I、II 級接觸氧化池、二沉池、污泥池集中一體的設備,并在 I、II 級接觸氧化池中進行鼓風曝氣,使接觸氧化法和活性污泥法有效的結合起來,同時具備兩者的優點,并克服兩者的缺點,使污水處理水平進一步提高。
全封閉結構設計,可靠的密封,離心機內腔氮氣保護,充分滿足密閉防爆。選裝氣體輔助刮刀,清除殘余濾餅,選裝在線清洗系統,保證潔凈度,更能滿足GMP規范的要求。
PG、PGZ系列離心機是立式刮刀下部卸料、連續運轉、間歇出料、程序控制的全自動過濾型離心機。PG為半自動離心機,電動機驅動轉鼓旋轉,達到進料轉速狀態時,待分離的物料經過料管進入高速旋轉的轉鼓內,進料達到預定容積後停止進料,升至高速分離,在離心力作用下,物料通過濾布(濾網)實現過濾,液相穿過濾層經轉鼓孔甩至空腔經出液管排出,固相則被截留在轉鼓內形成圓桶狀濾餅,隨后可對濾餅進行洗滌,達到分離要求後,轉速降到卸料轉速狀態,刮刀裝置動作,將濾餅從轉鼓內壁刮下經離心機下部出料口排出。
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工業和生活污水的分離脫水 淀粉洗滌、分級、脫水 大豆、麥類蛋白的脫水 魚粉、魚肉脫水 酒糟脫水 果汁的凈化與果肉纖維的脫水 動、植物油的分離與凈化 煤焦油的分離與凈化 高嶺土、石墨的分級與脫水 染料、顏料的分級與脫水 浮洗精煤與煤泥脫水 礦石漿的分級與脫水
采用PLC控制,程序設定,無人看護的自動化操作,加料、初過濾、洗滌、卸料全過程監護。 2、變頻調速,啟動平穩,分離因數可調。 3、能耗制動,非接觸式制動方式,無摩擦粉塵污染。 4、全密閉結構,密封件采用硅橡膠或氟橡膠,離心機內腔氮氣保護,可實現密閉防爆要求。 5、結構設計合理,在線清洗系統,保證了潔凈度要求,符合GMP規范。 6、自動動作元件采用氣動系統,清潔衛生。 7、射頻導納料程控制。 8、無基礎安裝,結構簡潔,外形美觀,清洗方便。 9、減振和隔振系統設計科學合理,無基礎安裝形式,采用平衡塊和高精度液態阻尼劑式隔振器,設備振動系統吸收,有效的降低了對基礎地面和周邊環境的振動干擾。 10、設備基礎平衡板又可作為操作平臺,操作維護更方便。 11、安全保護:轉速檢測,過振動保護,開蓋保護,電機過載過熱保護,刮刀旋轉、升降機械電氣雙重控制,刮刀與轉鼓的聯動鎖定。
結構:外殼配置翻蓋及進料管、洗滌管、觀察鏡、排氣口、照明孔;密閉結構,轉鼓及外殼、翻蓋等部件為不銹鋼材料(SUS304)制造。機座等為鑄造件,表面包襯不銹鋼。轉鼓、外殼內外表面、機器外露件表面均拋光處理。
箱式化學氣相沉積系統采用爐體和智能控制一體化設計,整個爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫,移相觸發,爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料,雙層爐殼間配有風冷循環系統,爐門底部升降,節能安全?;瘜W氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法,是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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定制流化床CVD系統,由真空立式管式爐、供氣系統、真空系統、真空測量系統組成。該系統以硅碳棒為加熱元件,采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表,移相觸發、可控硅控制,爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料,爐管兩端用不銹鋼法蘭密封,不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表,真空泵接口,具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。該立式CVD管式爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等
該系統是一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。爐底部裝有滑軌,可通過滑動爐子可以實現物料的快速加熱和冷卻。該cvd高溫爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
PG、PGZ系列離心機是立式刮刀下部卸料、連續運轉、間歇出料、程序控制的全自動過濾型離心機。PG為半自動離心機,電動機驅動轉鼓旋轉,達到進料轉速狀態時,待分離的物料經過料管進入高速旋轉的轉鼓內,進料達到預定容積後停止進料,升至高速分離,在離心力作用下,物料通過濾布(濾網)實現過濾,液相穿過濾層經轉鼓孔甩至空腔經出液管排出,固相則被截留在轉鼓內形成圓桶狀濾餅,隨后可對濾餅進行洗滌,達到分離要求後,轉速降到卸料轉速狀態,刮刀裝置動作,將濾餅從轉鼓內壁刮下經離心機下部出料口排出。
PG、PGZ系列離心機是立式刮刀下部卸料、連續運轉、間歇出料、程序控制的全自動過濾型離心機。PG為半自動離心機,電動機驅動轉鼓旋轉,達到進料轉速狀態時,待分離的物料經過料管進入高速旋轉的轉鼓內,進料達到預定容積後停止進料,升至高速分離,在離心力作用下,物料通過濾布(濾網)實現過濾,液相穿過濾層經轉鼓孔甩至空腔經出液管排出,固相則被截留在轉鼓內形成圓桶狀濾餅,隨后可對濾餅進行洗滌,達到分離要求後,轉速降到卸料轉速狀態,刮刀裝置動作,將濾餅從轉鼓內壁刮下經離心機下部出料口排出。
KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ,最高溫度可以達到1200度,極限真空可以達到10-3Pa,供氣系統是流量調節可以是質子流量計,可以對多種氣體進行準確的混氣,然后導入到管式爐內部??焖偻嘶馉t爐管兩端安裝真空法蘭,真空度用分子泵可以到10-5Torr,機械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對滑軌,可用手動滑動。加為取得最快加熱,可以預先加熱爐子到設定的溫度,然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻,可在樣品加熱后移動爐子到另一端,是低成本快速熱處理的理想爐子。
PG、PGZ系列離心機是立式刮刀下部卸料、連續運轉、間歇出料、程序控制的全自動過濾型離心機。PG為半自動離心機,電動機驅動轉鼓旋轉,達到進料轉速狀態時,待分離的物料經過料管進入高速旋轉的轉鼓內,進料達到預定容積後停止進料,升至高速分離,在離心力作用下,物料通過濾布(濾網)實現過濾,液相穿過濾層經轉鼓孔甩至空腔經出液管排出,固相則被截留在轉鼓內形成圓桶狀濾餅,隨后可對濾餅進行洗滌,達到分離要求後,轉速降到卸料轉速狀態,刮刀裝置動作,將濾餅從轉鼓內壁刮下經離心機下部出料口排出。
該設備由蒸發器、混合器和反應器組成。采用氧化鋁纖維耐火材料。設備技術成熟、質量可靠,溫場均勻,結構合理,30段可編程溫控系統,氣路選用液晶屏觸摸界面,使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數。該CVD高溫爐廣泛應用于半導體工業中,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜,該CVD鍍膜設備可在目標材料表面形成密集的HfCl4涂層.適用于各大高校材料實驗室、科研院所、環??茖W等領域。
PG、PGZ系列離心機是立式刮刀下部卸料、連續運轉、間歇出料、程序控制的全自動過濾型離心機。PG為半自動離心機,電動機驅動轉鼓旋轉,達到進料轉速狀態時,待分離的物料經過料管進入高速旋轉的轉鼓內,進料達到預定容積後停止進料,升至高速分離,在離心力作用下,物料通過濾布(濾網)實現過濾,液相穿過濾層經轉鼓孔甩至空腔經出液管排出,固相則被截留在轉鼓內形成圓桶狀濾餅,隨后可對濾餅進行洗滌,達到分離要求後,轉速降到卸料轉速狀態,刮刀裝置動作,將濾餅從轉鼓內壁刮下經離心機下部出料口排出。
KJ-T1200 CVD是一種管式爐,配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質量流量計氣體流動系統。 它可以混合1-5種氣體用于CVD或擴散。該CVD高溫管式爐主要用于大學,科研機構和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
SG-q型離心機是一種氣動刮刀下卸料變頻調速間歇操作程序自動化作業的離心分離設備,類屬于刮刀下卸料系列。本機采用變頻調速器調控電機、實現無級調速和軟起動及制動,配有現場輔助控制盤,實現兩地控制。采用能耗制動單元、制動電阻進行電器制動剎車。選用導靜電阻燃(防爆)窄V三角帶傳遞動力。主機通過窄B三角帶將動力傳遞給轉鼓,使轉鼓繞自身軸線高速回轉,產生離心力場,實現對分離物料的液固分離作業。
SGC三足式刮刀下卸料沉降離心機是、窄刮刀卸料、間隙卸料的沉降式離心機。 該系列離心機轉鼓壁無濾孔,操作時不需濾布,卸料是由刮刀進行循環操作形式,工人勞動強度低,易于實現程序和自動控制,采用窄刮刀、低速密封卸料,卸料性能好,晶粒不易破碎等優點。 離心機與分離介質相接觸部分的材料可根據用戶需要采用其它耐腐蝕材料,如:304、321、316L、TA2、PE等。
KJ-CVD 是一種分體式管式爐,配備 60mm 直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統。 可混合1-6種氣體進行CVD??頒VD生長系統適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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