權利要求
1.一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:步驟一、將硅源和碳源通過機械攪拌混合,碳硅摩爾比為(3~25):1,采用成型工藝和造孔工藝得到多孔前驅體;步驟二、將多孔前驅體用石英粉包裹置于微波燒結爐中進行燒結,將試樣在900-1350℃保溫15-25min,石英粉在高溫下產生熔融,將多孔前驅體包裹,石英粉在多孔前驅體外形成致密的熔融石英殼,形成密閉空間,在密閉空間內,孔徑上的C與SiO2反應,生成CO和SiO氣體,二者在微波的作用下發生電離,迅速發生反應生成SiC,多孔前驅體內部含有大量的氣孔,氣體由孔壁釋放至孔內,在石英粉包裹的作用下,孔內部氣體迅速積累,氣壓迅速增加,促進等離子體發生瞬間氣相反應,借助孔內部的充足空間,形成晶體發育良好的三維立體狀碳化硅晶須。
2.根據權利要求1所述的一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:碳源為碳粉、活性炭、石油焦、瀝青、煤粉、生物質碳、淀粉、飽和葡萄糖溶液中的一種或多種混合。
3.根據權利要求1所述的一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:硅源為硅粉、質量分數為30%的堿性硅溶膠,正硅酸乙酯、石英粉、白炭黑、聚硅氧烷、生物質硅中的一種或多種混合。
4.根據權利要求1所述的一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:多孔前驅體質量為30-50g。
5.根據權利要求1所述的一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:石英粉粒徑為40-80目,加入量占多孔前驅體質量的260-290%。
6.根據權利要求1所述的一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:在微波燒結爐中燒結溫度為900-1350℃,燒結方式為0.8-1.2kw功率燒結5min后,再用4-6kw功率燒結1min。
7.根據權利要求1所述的一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法,其特征在于:造孔工藝為發泡法、固態造孔劑法,乳液法,有機泡沫浸漬法,冷凍干燥法中的一種。
說明書
技術領域
[0001]本發明屬于無機非金屬材料技術領域,尤其涉及一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法。
背景技術
[0002]碳化硅晶須由于具有高熔點、低密度
聲明:
“多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)