一種有機硅納米防護涂層的制備方法,屬于等離子體技術領域,該方法中,將反應腔室內的真空度抽到10~200毫托,并通入惰性氣體,開啟運動機構,使基材產生運動,通入單體蒸汽到反應腔室內,進行化學氣相沉積,在基材表面化學氣相沉積制備有機硅納米涂層;單體蒸汽成分為:至少一種含雙鍵、Si?Cl、Si?O?C、Si?N?Si、Si?O?Si結構或環狀結構的有機硅單體和至少一種多官能度不飽和烴及烴類衍生物的混合物。本發明將傳統的碳氫氧有機化合物單體替換為有機硅單體,每個硅原子至少提供1?4個活性位點,具有較高的活性,等離子沉積方法涂層厚度從納米到微米都可以實現精確可控,且不需要使用溶劑,同時也避免了液相有機硅涂層方法產生廢水、廢液、廢氣等不足。
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