本發明涉及一種釩酸鉍，尤其涉及一種呈花狀多分枝納米結構的釩酸鉍，還涉及上述釩酸鉍的制備方法，屬于半導體納米材料制備技術領域。背景技術：現代社會中，工業和農業的不斷發展給人們帶來便利的同時，也造成了嚴重的水污染。為了解決這一問題，出現了許多不同的污水處理方法。其中，半導體光催化氧化法由于可以利用太陽能將污染物降解為無害的水和二氧化碳等小分子而受到了廣泛的關注。半導體光催化劑具有相對高的光催化活性，與環境的良好兼容性等優點被廣泛應用于污水治理。傳統光催化劑如二氧化鈦和氧化鋅需要紫外光照激發，需要特定的紫外光源。而釩酸鉍(bivo4)是一種性能優越的窄禁帶半導體，其禁帶寬度為2.4ev，在可見光光照下即可催化分解水及降解水體中的有機污染物。研究發現釩酸鉍在降解甲基藍、結晶紫和羅丹明b表現出具有良好的催化活性和循環穩定性(j.mater.chem.，20(2010)7536，crystengcomm，14(2012)4217，rscadv.，3(2013)20606)。而且釩酸鉍化學穩定性好、成本低，制備簡單，無毒等特點，在可見光催化領域受到越來越多的關注。目前bivo4納米線的制備方法有很多，但是大多是借助于fto玻璃為基底上旋涂種子層來進行生長。例如發明專利cn106745249a中介紹了一種bivo4納米線的水熱制備方法，以fto為基底在其上涂種子層后于反應釜中通過水熱反應制備得到bivo4納米線。雖然該方法所生產的bivo4納米線形貌、性能和其他方法相比有較大的提高，但采用的高溫環境(400℃)對設備要求高，反應時間也長達2～10個小時。所以目前的制備方法大多具有實驗裝置復雜、操作繁瑣、耗時久、成本高和實驗條件嚴苛等問題。因此一種常溫下短時間內在溶液中直接合成大批量的bivo4納米線的方法很有必要。技術實現要素：發明目的：本發明所要解決的技術問題是提供一種具有花狀多分枝納米結構的釩酸鉍，該納米結構具有大的孔隙率，有利于污染物在納米結構中的傳輸，從而提高bivo4的光催化效果。本發明還要解決的技術問題是提供上述釩酸鉍的制備方法，該方法操作簡單，只需要在常溫常壓下進行，無需復雜的合成設備和嚴苛的合成條件，且制得的釩酸鉍形貌良好、性能優越。.為解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案為：一種釩酸鉍，呈花狀多分枝納米結構，所述花狀多分枝納米結構由多根釩酸鉍納米線相互連接而成
聲明：
“釩酸鉍及其制備方法和應用與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：南京景鑠新材料科技有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
