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OTF-1200X-V-H4是一款符合UL/TUV標準的氫氣管式爐，專為冶金領域中的磁性材料氫爆處理及氫氣環境下的熱處理設計。該設備配備5個獨立溫控系統的溫區，爐管采用310不銹鋼材質，尺寸為Φ100mm×1500mm，能夠滿足多種材料的高溫處理需求。此外，設備內置3M氫氣探測器，一旦檢測到氫氣泄漏，將自動關閉進氣閥和出氣閥，確保實驗過程的安全。其最高溫度可達1200℃，適用于對氧敏感的金屬材料和磁性材料的高溫處理，是高校、科研機構和企業實驗室進行材料研究和開發的理想設備。
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OTF-1200X-III-H8是一款符合UL/TUV標準的10英寸氫氣管式爐，專為冶金領域中的Ti合金退火和對氧敏感材料的熱處理設計。其爐管采用NiCrAl合金材質，具有優異的耐高溫和耐腐蝕性能，爐體設計有3個加熱區，最高溫度可達1250℃。該設備能夠在高真空或氫氣環境下進行熱處理，特別適用于對材料微觀結構和性能有嚴格要求的冶金實驗，為高性能金屬材料的研發和生產提供可靠的高溫處理解決方案。
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GSL-1100X-III-D11是一款專為大面積材料生長設計的三溫區大型雙管爐，最高溫度可達1100℃。其獨特的雙管設計通過CVD方法在箔材上實現大面積（約7000cm2）材料生長，箔材纏繞在內管外壁上，送管裝置可輕松將內管送入或取出外管。該設備不僅適合大面積生長石墨烯和柔性電極材料，還可用于冶金領域中大面積薄膜材料的制備和研究，為開發高性能復合材料和新型電極材料提供有力支持。
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OTF-1200X-IR-IISL是一款900℃雙溫區紅外加熱快速熱處理爐，專為冶金及材料科學實驗設計。其爐管直徑為4英寸，樣品臺滑軌周圍嵌有可伸縮波紋管，可在真空或氣氛保護環境下實現樣品的快速移動。該設備最大升溫速率達到50℃/s，最大冷卻速率達到10℃/s，能夠高效完成快速熱處理任務。此外，它還可通過HPCVD方法生長二維晶體，一個加熱區用于蒸發固體原料，另一個加熱區用于樣品沉積，特別適用于冶金領域中二維材料的生長和金屬薄膜的制備。
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RTP-1000-LV3C是一款900℃的快速熱處理（RTP）管式爐，專為半導體基片、太陽能電池及其他樣品（尺寸可達3英寸）的退火工藝設計。該設備配備三路浮子流量計和機械泵，真空度可達10?3 Torr。采用9kW紅外燈加熱，最快升溫速度可達100℃/秒，配備30段精確溫度控制，精度為±1℃。此外，設備還配有RS485接口和控制軟件，可通過計算機控制運行并顯示溫度曲線。其安裝尺寸為600mm×600mm×597mm，重量為210lbs。在冶金領域，該設備可用于快速熱處理金屬材料，優化材料的微觀結構和性能。
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GSL-1100X-RTP50是一款通過CE認證的1100℃快速熱處理爐，專為高效熱處理實驗設計，特別適用于冶金領域。其配備50mm外徑×44mm內徑×304.8mm長度的高純石英管（單端封口），最高工作溫度可達1100℃。右側法蘭處安裝有滑軌，可手動移動爐管，實現快速加熱和冷卻。通過預熱爐子并快速插入爐管，可實現最快加熱；樣品加熱后移出爐管進行強冷，冷卻速率在真空或惰性氣體環境下可達10℃/s。這種快速升降溫能力使其成為研究金屬材料熱處理工藝、相變行為及快速結晶的理想設備，尤其適合高校、科研機構和企業實驗室進行低成本、高效的材料實驗。
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OTF-1200X-50S-SL是一款通過CE認證的1200℃小型滑軌快速熱處理（RTP）爐，專為高效熱處理實驗設計。其配備外徑50mm、長度1000mm的石英管，爐底安裝滑軌，可實現快速加熱和冷卻，最大升溫速率為100℃/min，真空或惰性氣體環境下的冷卻速率可達15℃/s。這種快速升降溫能力使其在冶金領域中可用于研究金屬材料的相變、熱處理工藝優化以及快速結晶等實驗，是高校、科研機構和企業實驗室進行材料研究和開發的理想設備。
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OTF-1200X-S2-50SL是一款小型雙爐體滑動管式爐，專為冶金領域中的材料蒸發/升華和薄膜沉積實驗設計。其配備Φ50×1400mm的石英管和不銹鋼密封法蘭，最高工作溫度可達1200℃。兩個爐體可在滑軌上滑動，實現快速加熱（最大升溫速率100℃/min）和冷卻，顯著提高實驗效率。此外，該設備還可選配電動滑軌、質量流量計（MFC）控制的供氣系統和等離子射頻電源，用于搭建TCVD系統，滿足更復雜的材料合成和薄膜制備需求。
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OTF-1200X-III-80SL是一款通過CE認證的1200℃三溫區滑軌式管式爐，專為快速熱處理實驗設計。其配備直徑80mm、長度94mm的石英管和法蘭，爐底安裝滑軌，支持手動滑動操作。該設備加熱和冷卻速率最高可達100℃/min，在真空或惰性氣體環境下可實現10℃/s的快速升降溫，能夠顯著提高實驗效率并降低能耗。在冶金領域，該爐可用于快速熱處理金屬材料，研究材料在高溫下的相變和微觀結構變化，是高校、科研機構和企業實驗室進行材料研究和開發的理想選擇。
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GSL-1600X-FS3KW是一款1600℃水平式閃燒爐，專為快速燒結陶瓷材料而設計，配備3KW可編程交流電源，可通過電極法蘭將正負極電極絲引入剛玉樣品夾具，施加電場實現閃燒工藝。其最高溫度可達1600℃，采用硅鉬棒加熱元件，加熱區長度為290mm，推薦升溫速率為≤10℃/min。相較于傳統燒結工藝，該設備具有超快速、節能且有利于制備細晶化陶瓷的優勢。其可廣泛應用于固體氧化物燃料電池、鐵電熱電陶瓷、固態電解質等領域的材料燒結。在冶金領域，這種快速燒結技術可用于研究陶瓷材料的微觀結構和性能，為開發高性能陶瓷基復合材料提供支持。
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OTF-1200X-50-DSL是一款專為定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）設計的水平滑軌式CVD生長爐，同時也適用于在硅片上生長低熔點金屬單晶。其爐管直徑為Φ50mm，爐體滑動速度可在1mm/s至100mm/s范圍內調節，并支持左右反復滑動及自定義滑動距離，為實驗提供了高度的靈活性。該系統配備可設置30段程序的高溫爐、一根Φ50×1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭，能夠滿足多種材料生長的需求。在冶金領域，該設備可用于研究低熔點金屬的單晶生長機制，為開發高性能金屬材料提供重要的實驗支持。
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RC-Ni-100是一款專為高溫高壓冶金實驗設計的100ml反應釜，采用鎳基高溫合金鋼制作，具有極高的蠕變強度和抗氧化性。該設備最高工作溫度可達1100℃，在該溫度下可承受最高壓力為4MPa，非常適合在高壓氧環境下對金屬樣品進行熱處理，以及通過水熱法合成高性能冶金材料。其優異的耐高溫高壓性能，使其成為冶金領域研究和開發新型材料及工藝的理想工具。
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SKJ-50CZ是一款高質量的CZ晶體生長爐，最高溫度可達2100℃，適用于冶金領域中高純度金屬單晶及氧化物單晶的生長。該設備可生長藍寶石、GGG、YAG、LaAlO?、Si、Ge等多種材料，最大晶體尺寸可達3英寸。其配備中/高頻切換復合感應電源，滿足不同材料的熔煉需求，同時采用高精度上稱重模式和在線稱量裝置，確保晶體生長過程的精確控制。此外，設備還具備高真空度（最高可達5.0×10?3Pa）和全不銹鋼水冷腔體，保證生長環境的穩定。
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GSL-1800X-PGEP是一款專為納米結構氧化物合成設計的多功能系統，廣泛應用于冶金領域。該系統由超聲霧化裝置、1800℃管式爐和靜電沉降裝置組成，通過前驅體霧化、高溫加熱和納米顆粒收集三個步驟，實現納米材料的精確制備。其獨特的設計能夠精準控制顆粒尺寸、形態以及納米/微粒結構，為冶金研究提供了一種先進的實驗手段，尤其適用于開發高性能納米復合材料和新型冶金催化劑，助力冶金工藝的創新與優化。
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VTF-1200X-III-TSSG是一款3溫區頂部籽晶助熔劑法（TSSG）晶體生長爐。此設備主要由3部分組成：3溫區加熱爐（爐膛尺寸為：Φ127mm×600mm,最高溫度為1200℃），溫控系統可設置28段溫度程序段，控溫精度±1℃和精密旋轉提拉機構，其提拉速度為0.8-50mm/hour。
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OTF-1200X-SCB是一款小型晶體生長爐，適用于提拉法或布里奇曼法生長單晶，其最高溫度可達1100℃。設備主要由提拉機構和爐體組成，提拉機構具有提拉&旋轉功能，爐體采用立式雙溫區管式爐，爐管為直徑為Φ50mm的石英管，并且配有不銹鋼密封法蘭，此設備可采用提拉法（用籽晶從熔融態原來中提拉出單晶）或布里奇曼法（將樣品封入到小石英試管里，石英試管在加熱區內向下移動）生長各種單晶。
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FMF-65是一款落地式水冷坩堝真空懸浮感應熔煉爐系統，并且帶有坩堝傾倒裝置，可做金屬澆注實驗，可用于新一代磁性合金和金屬材料的探索研究。設備中包含一功率高達65KW的感應熔煉爐，可有效地加熱高達250g的金屬樣品（Ti），最高加熱溫度達1800℃。不銹鋼真空腔體保證樣品可在真空或氣氛保護環境下進行熔煉，采用特殊樣式的水冷銅坩堝使得金屬樣品能夠在熔煉過程中懸浮，避免了坩堝對物料的污染。熔煉過程中強烈的電磁攪拌也能夠保證其樣品內部的溫度及化學成分的均一性。
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VMCS-1200-LD是一款1200℃的熔煉/鑄造爐，適合在氣氛保護環境下熔煉各種合金，最高溫度可達1200℃。該設備采用封閉腔體設計，可有效防止樣品在熔煉和澆注過程中生成氧化物及形成缺陷。其石墨坩堝直徑為60mm，配備電阻絲加熱和石墨攪拌棒，能夠快速熔煉金屬，僅需6-8分鐘。此外，該設備操作簡單，只需設置鑄造溫度、添加樣品并擠壓操縱桿即可完成澆注。設備安裝尺寸為770mm×460mm×460mm，重量為54kg，配備雙極旋片真空泵，所需氣體流量為5L/min。
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